发明名称 暂存器档案读/写单元
摘要 一多重埠记忆体中的单元,经由相对应的开关,连接至相对应的位元线。在开关与单元之储存装置的输入之间有一写入致能元件。在同一开关与单元之输出装置之间,有一读出致能元件。因此,读出位元线和写入位元线合并在一起,且每单元的开关个数,与以往技艺之多重埠记忆体相较之下,可以大幅降低。
申请公布号 TW332878 申请公布日期 1998.06.01
申请号 TW085112731 申请日期 1996.10.18
申请人 飞利浦电子股份有限公司 发明人 麦可安东尼安格
分类号 G06F12/00 主分类号 G06F12/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种具有多重埠记忆体的电子电路,此记忆体包含许多个记忆体单元,其中:-每一单元耦合至许多可独立控制的位元线;-每一单元包含:-一储存装置,供储存单一位元用;-一多重开关,均可各自操作,以便将储存装置选择性地连接至各自的位元线;-每一储存装置包含:-一写入致能元件,耦合于多重开关和储存装置的一输入端之间,以便能写入单元;-一读出致能元件,耦合于储存装置的一输出端和多重开关之间,以便能读出单元。2.根据申请专利范围第1项中之电路,其中至少读出致能元件或写入致能元件可经由控制信号来操作。3.根据申请专利范围第2项中之电路,其中-一储存装置包含一对交互耦合的反相器;-一写入致能元件包含一写入致能电晶体,其具有耦合于多重开关及输入端之间的导电通道,并有接收控制信号用的控制电极。4.根据申请专利范围第3项中之电路,其中-读出致能元件包含一读出致能电晶体,其具有耦合于多重开关及一参考电压之间的导电通道,并有耦合至输出端的控制电极。5.根据申请专利范围第1项中之电路,其中之开关可操作,以便能经由至少两个埠同时读出单元中特定的一个。图示简单说明:第一图为根据本发明之记忆体单元的方块图,第二图为单元之较佳具体实例的电晶体图,第三图为根据本发明,具有一多重埠记忆体之电路的方块图。
地址 荷兰