| 主权项 |
1.一种烯烃聚合用触媒系统,其包含(a)至少一种离子性贰茂金属络合物,系由如化学式(Cp)a(Cp')bMXxZz之中性贰茂金属络合物与离子化剂反应而制得,该化学式中:-Cp及Cp'每一个表示配位到中心原子之不饱和烃基,-M表示过渡金属锆-a、b、x及z表示整数以使得(a+b+x+z)=m,x>0,z,z≧0,而a及/或b≠0-m表示过渡金属M之价数-X表示卤素,-Z表示如化学式(-Rt-Si-R'R"R"')之矽烷基,其中-R表示含有最高至20个碳原子之烷基,-R'、R"及R"'可相同或各异且各表示卤素或含有最高至20个碳原子之烷基、烯基或烷氧基,以及-t表示0或1,而该离子化剂系选自肆(五氟苯基)硼酸三苯基五价碳烯及参(五氟苯基)硼;(b)至少一种含有15至20重量%钛、0.5至20重量%之镁及30至40重量%之卤素的催化性固体,以及(c)至少一种通式为AlXnT3-n之铝衍生物,其中X表示卤素,T表示烃基,而n为0至3之数。2.如申请专利范围第1项之触媒系统,其中该过渡金属对该催化性固体中之钛的重量比系从0.05至10。3.如申请专利范围第1项之触媒系统,其中彼可额外包含无机载体。4.如申请专利范围第1项之触媒系统,其系用于至少一种烯属烃之(共)聚合。5.一种制备如申请专利范围第1项之触媒系统的方法,此触媒系统包括至少一种如通式AlXnT3-n之铝衍生物(其中X表示卤素,T表示烃基,而n为0至3之数)、至少一种选自肆(五氟苯基)硼酸三苯基五价碳烯 及参(五氟苯基)硼之离子剂及至少一种如式(Cp)a(Cp')bMXxZz之中性贰茂金属络合物,其中:-Cp及Cp'各表示配位到中心原子之不饱和烃基,-M表示过渡金属锆-a、b、x及z表示整数以使得(a+b+x+z)=m,x>0,z≧0,而a及/或b≠0-m表示过渡金属M之价数-X表示卤素,-Z表示如化学式(-Rt-Si-R'R"R"')之矽烷基,其中-R表示含有最高至20个碳原子之烷基,-R'、R"及R"'可相同或各异且各表示卤素或含有最高至20个碳原子之烷基、烯基或烷氧基,以及-t表示0或1;其中在第一阶段中制备一中性贰茂金属络合物与一含有15至20重量%钛、0.5至20重量%之镁及30至40重量%之卤素的催化性固体的混合物,在第二阶段中把于至少一种烃稀释剂中之铝衍生物及离子化剂加入该所得混合物中;该铝衍生物、中性贰茂金属络合物、催化性固体及离子化剂的用量系使离子化剂对中性贰茂金属络合物之莫耳比为0.1至10,铝衍生物对中性贰茂金属络合物之莫耳比至少为10,而中性贰茂金属络合物对催化性固体之重量比系至少0.01且不大于20。6.如申请专利范围第5项之方法,其中在第二阶段中先将铝衍生物加入该从第一阶段收集之混合物中,然后再添加离子化剂。7.如申请专利范围第5或6项之方法,其中该铝衍生物系选自三乙基铝及三异丁基铝。8.如申请专利范围第5项之方法,其中参(五氟苯基)硼系在没有布忍斯特酸(Bronsted acid)下使用。9.如申请专利范围第5或6项之方法,其中该中性贰茂金属络合物或该离子化剂系沈积于一无机载体上。10.如申请专利范围第5或6项之方法,其中该中性贰茂金属络合物系选自如化学式(Cp)a(Cp')bMXx(-Rt-Si-R'R"R"')z之化合物,其中:-Cp及Cp'各表示配位到中心原子之不饱和烃基,-M表示过渡金属锆-a、b、x及z表示整数以使得(a+b+x+z)=m,x>0,z>0,而a及/或b≠0-m表示过渡金属M之价数-X表示卤素,-R表示含有最高至20个碳原子之烷基,-R'、R"及R"'可相同或各异且各表示卤素或含有最高至20个碳原子之烷基、烯基或烷氧基,以及-t表示0或1;此中性贰茂金属络合物系藉化学式(Cp)a(Cp')bMXxHz之化合物与矽烷反应而而制得。11.如申请专利范围第5或6项之方法,其中该中性贰茂金属络合物系选自如(Cp)a(Cp')bMXxZz之化合物,其中z=0。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该贰茂金属络合物是二氯化双(环戊二烯基)锆。13.一种烯烃聚合用触媒系统之前驱物,其包含(a)至少一种如式(Cp)a(Cp')bMXxZz之中性贰茂金属络合物,其中-Cp及Cp'各表示配位到中心原子之不饱和烃基,-M表示过渡金属锆-a、b、x及z表示整数以使得(a+b+x+z)=m,x>0,z≧0,而a及/或b≠0-m表示过渡金属M之价数-X表示卤素,-Z表示如化学式(-Rt-Si-R'R"R"')之矽烷基,其中-R表示含有最高至20个碳原子之烷基,-R'、R"及R"'可相同或各异且各表示卤素或含有最高至20个碳原子之烷基、烯基或烷氧基,以及-t表示0或1,(b)至少一种含有15至20重量%之钛、0.5至20重量%之镁及30至40重量%之卤素的催化性固体,以及(c)至少一种通式AlXnT3-n之铝衍生物,其中X表示卤素,T表示烃基,而n为0至3之数。14.一种于触媒系统存在下使至少一种烯属烃(共)聚合之方法,此触媒系统含有至少一种如通式AlXnT3-n之铝衍生物(其中X表示卤素,T表示烃基,而n为0至3之数)、至少一种选自肆(五氟苯基)硼酸三苯基五价碳烯 及参(五氟苯基)硼之离子化剂及至少一种如式(Cp)a(Cp')bMXxZz之中性贰茂金属络合物,其中:-Cp及Cp'各表示配位到中心原子之不饱和烃基-M表示过渡金属锆-a、b、x及z表示整数以使得(a+b+x+z)=m,x>0,z≧0,而a及/或b≠0-m表示过渡金属M之价数-X表示卤素,-Z表示如化学式(-Rt-Si-R'R"R"')之矽烷基,其中-R表示含有最高至20个碳原子之烷基,-R'、R"及R"'可相同或各异且各表示卤素或含有最高至20个碳原子之烷基、烯基或烷氧基,以及-t表示0或1;其中制备一该中性贰茂金属络合物与含有钛、镁及卤素之催化性固体的混合物,将该所得混合物与至少一种选自脂族烃之烃稀释剂、该铝衍生物及该烯属烃接触,然后将该离子化剂加入,该中性贰茂金属络合物及该催化性固体的用量系使中性贰茂金属络合物对催化性固体之重量比至少为0.1且不大于10。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该铝衍生物及该中性贰茂金属络合物的用量系使铝衍生物对中性贰茂金属络合物之莫耳比至少为100。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该催化性固体系与一无机载体混合,随后将该中性贰茂金属络合物加入此混合物中。17.如申请专利范围第9项之方法,其中该无机载体系二氧化矽、氧化铝、氯化镁或二氧化矽与氯化镁之混合物。18.如申请专利范围第16项之方法,其中该无机载体系二氧化矽、氧化铝、氯化镁或二氧化矽与氯化镁之混合物。19.如申请专利范围第14项之方法,其中该烯属烃系乙烯及/或丙烯。 |
