| 摘要 |
Bu müracaat tarifnamesinde, bir iyon emplantasyon cihazinin bir iyon huzmesi olusturma kaynagi tertibatina mahsus bir filament levha açiklanmaktadir. Bu filament levha tungstenden meydana getirilmekte ve levhanin genisligi içinden uzanan, aralikli yeralan iki adet spiral yarigi içermektedir. Yariklari bosluk genisligi, bir ark hücresi içine salinan elektronlar tarafindan hasil edilen iyonlarin bir plazma Debye uzunlugunun on katindan esas itibariyle daha büyük degildir. Levha filament, içine iyonlasabilir kaynak malzemelerin enjekte edildikleri bir ark hücresi içine düzenlenmektedir. Söz konusu levha, termiyonik salim yapma sicakligina kadar isitilmasi amaciyla, levhadaki açiklik veya deliklerin içine presle geçirilmis olan iki iletken çubugu içermektedir. Bu iletken çubuklar, ark hücresinin bir yan cidarindaki yalitilmis delikler içinden uzanmaktadirlar.
|
