化学机械式研磨(CMP)后可光罩对准之结构及制造此结构之方法

摘要

一种化学机械式研磨(CMP)后可光罩对准之结构，以及制造此结构之方法，适用于一基底，而此基底之上方由下而上分别还有一垫氧化层和一氮化矽层(Si3N4)，在非曝光区之氮化矽层上具有对准标记。其制造方法包括：形成一方形沟槽于对准标记周围，使得对准标记上的氮化矽面积和其他氮化矽面积隔离；形成一氧化层于该氮化矽层上；以及利用化学机械式研磨上述氧化层。因对准标记已被隔离成小面积，相对的可提高其研磨速率，故对准标记上的氧化层可被彻底清除，而剩余的氧化层残渣可藉由微量蚀刻来去除而不会破坏到浅沟槽隔绝制造中隔绝沟槽内部的氧化物。经由此过程对准标记可重新被显出来，以利尔后光罩对准之用(例如：ASML 移动步进机台光罩对准之用)。

主权项

1.一种化学机械式研磨(CMP)后可光罩对准之制造方法,适用一基底上,其中该基底之上方具有可供光罩对准之一对准标记,其制造方法包括:形成一沟槽于上述对准标记的周围;形成一后续层于该基底上方,并延伸覆盖于该对准标记上方;以及利用化学机械式研磨该后续层。2.如申请专利范围第1项所述之该种化学机械式研磨后可光罩对准之制造方法,其中该沟槽是藉由OD曝光法所形成。3.如申请专利范围第1项或第2项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之制造方法,其中该沟槽的深度必须大于该后续层厚度。4.如申请专利范围第1项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之制造方法,其中该后续层为一氧化层。5.如申请专利范围第1项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之制造方法,其制造方法更包括,在经化学机械式研磨(CMP)后,利用微量蚀刻将剩余的该后续层残碴清除。6.如申请专利范围第1项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之制造方法,其可应用于浅沟槽隔绝制程中。7.一种化学机械式研磨后可光罩对准之结构,其包括:一基底;一对准标记,其位于该基底上方;以及一沟槽,其位于该对准标记周围。8.如申请专利范围第7项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之结构更包括一后续层,其为一待化学机械研磨之层并覆盖于该基底上方,且延伸覆盖于该对准标记及该沟槽之上。9.如申请专利范围第8项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之结构,其中该后续层之厚度要小于该沟槽之厚度。10.如申请专利范围第8项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之结构,其中沟槽之宽度约为0.9mm。11.如申请专利范围第7项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之结构,更包括一氮化矽(Si3N4)层和一垫介电层,由上而下介于该后续层和该基底间。12.如申请专利范围第7项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之结构,其中该对准标记为一方形。13.如申请专利范围第12项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之结构,其中该沟槽为一方形,内围边长和外围边长分别约为1.6mm和3.5mm。14.如申请专利范围第7项之该种化学机械式研磨后可光罩对准之结构,其可应用于浅沟槽隔绝制程中。图式简单说明:第一图所示为一半导体晶圆的顶视图。第二图A-第二图D为一浅沟槽隔绝制造之流程图。第三图A和第三图B为一习知化学机械式研磨后,造成对准标记无法辨认的制程剖面图。第四图A-第四图C为根据本发明一较佳实施例的可辨认对准标记之制程剖面图。