PHOTOSENSITIZATION CHEMICAL-AMPLIFICATION TYPE RESIST MATERIAL METHOD FOR FORMING PATTERN USING SAME SEMICONDUCTOR DEVICE MASK FOR LITHOGRAPHY AND TEMPLATE FOR NANOIMPRINTING

摘要

본 발명에 관한 광증감 화학 증폭형 레지스트 재료는, 2단 노광 리소그래피 프로세스에 사용되고, (1) 현상 가능한 베이스 성분과, (2) 노광에 의하여 광증감제와 산을 발생하는 성분을 포함한다. 상기 성분은, (a) 산-광증감제 발생제, (b) 광증감제 전구체, 및 (c) 광산발생제의 3개의 성분 중, (a) 성분만을 함유하거나, 임의의 2개의 성분을 함유하거나, 또는 (a)~(c) 성분 모두를 함유한다.