发明名称 半导体装置
摘要 本发明之目的系在1支具有内引人线连接了复数支结合线之配线构造之装置,其系提供一种能够防止由于大电流致使引起半导体晶片或测试工模等受到损伤之半导体装置。本发明之构成系具有复数垫片11a~13a,11b~13b之半导体晶片,与由垫片11a~13a,11b~13b与复数结合线14a~16a,14b~16b连接之途中将包含被切断部分之内引入线1a,1b与将内引入线1a,1b之切断部分之两端以电气方式连接而以较内引入线为小之电流熔断之结合线6a,6b。
申请公布号 TW344894 申请公布日期 1998.11.11
申请号 TW084110207 申请日期 1995.09.27
申请人 东芝股份有限公司 发明人 陶山雄一;福崎勇三
分类号 H01L23/62 主分类号 H01L23/62
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种半导体装置其特征为备有;且有复数垫片之半导体晶片3,与由上述复数之垫片与复数之接合线连接,而在途中包含被切断部分之内引入线1a,1b,与将上述内引入线之切断部分之两端以电气方式连接,而由较上述内引入线更小之电流熔断之连接手段6a,6b,7a,7b,8a,8b,9a,9c。2.一种半导体装置,其特征为备有;具有复数第1电源电压用之垫片与复数第2电源电压用垫片之半导体晶片3,与由上述第1电源用之垫片与复数接合线所连接之第1电源电压用之内引入线1a,与由上述第2电源用之垫片与复数接合线所连接之第2电源电压用之内引入线1b,与上述第1及第2电源电压用之内引入线之中至少任一方之途中有被切断之部分,将其两端以电气方式连接较上述引入线更小电流熔断之连接手段6a,6b,7a,7b,8a,8b,9a,9c。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述连接手段系在上述内引入线之切断部分两端为被接合之接合线。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述连接手段系将上述内引入线之切断部分两端面连接地所装设之保险丝。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述连接手段系将上述内引入线之切断部分两端面连接地所装设之导电性带。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,上述内引入线之切断部分为其两端部以绝缘状态接合,由上述连接手段以电气方式连接。7.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,上述连接手段系内引入线之切断部分两端为所接合之接合线。8.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,上述连接手段系将上述内引入线之切断部分两端面连接地所装设之保险丝。9.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,上述连接手段系将上述内引入线之切断部分两端面连接地所装设之导电性带。10.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中,上述内引入线之切断部分为其两端部以绝缘状态接合,而由上述连接手段以电气方式连接。图式简单说明:第一图系表示本发明第1实施例之半导体装置之配线构造之平面图。第二图系表示本发明第2实施例之半导体装置之配线构造之平面图。第三图系表示沿第二图之A-A线之纵剖面图。第四图系表示本发明第3实施例之半导体装置之配线构造之平面图。第五图系表示沿第四图之B-B线之纵剖面图。第六图系表示本发明第4实施例之半导体装置之配线构造之平面图。第七图系表示沿第六图之C-C线之纵剖面图。第八图系表示本发明第5实施例之半导体装置之配线构造之平面图。第九图系表示习知半导体装置之配线构造之平面图。
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