半导体晶圆之制造方法

摘要

提供一种可防止矽结晶内部之金属污染同时确实且有效率地制造在将晶圆制造中所生成之GOI劣化因素除去之半导体晶圆之制造方法。将经切片及去角加工之半导体晶圆打光。将经打光之半导体晶圆蚀刻，以将因打光所生之加工应变除去。用两面研磨机将经蚀刻之半导体晶圆之两面粗研磨。经粗研磨之半导体晶圆用NaOH之1％水溶液蚀刻，经弱硷性蚀刻之半导体晶圆经最终处理研磨作镜面加工，经最终处理研磨之半导体晶圆用SC-1液洗净。

主权项

1.一种包括下列步骤为特征之半导体晶圆之制造方法:(1)将半导体晶圆之至少一面组研磨之组研磨步骤;(2)将经粗研磨之半导体晶圆用弱硷性蚀刻液蚀刻之弱硷性蚀刻步骤;(3)将经弱硷性蚀刻之半导体晶圆之该面用最终处理研磨作镜面加工之最终处理研磨步骤;及(4)将经最终处理研磨之半导体晶圆用具有弱蚀刻性之洗净液洗净之洗净步骤。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其特征为洗净液为SC-1洗净液者。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其特征为于弱硷性蚀刻步骤之蚀刻量为1000nm以下者。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其特征为最终处理研磨之磨石粒粒径为5nm以下者。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其特征为最终处理研磨之泥浆pH为10-11者。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其特征为于洗净步骤之厚度为少于20nm者。图式简单说明:第一图为说明本实施例之制造方法之流程图;第二图为经本实施例之各制造步骤之半导体晶圆之侧面图;第三图为表示在粗研磨后经弱硷性蚀刻之半导体晶圆之经GOI测定之良品率之变化之图;及第四图为表示在不同条件最终处理研磨后用SC-1液洗净后之半导体晶圆之GOI测定之良品率之图。