一种半导体器件的制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法,当为了沟道器件绝缘,用湿法蚀刻刻蚀半导体基片上的氧化硅膜时,由于蚀刻窄沟道绝缘区的第一绝缘膜,在器件绝缘端不会产生凹部,从而提高了产量及可靠性。形成第二绝缘膜并通过蚀刻有选择地将第二绝缘膜留在易于形成凹部的绝缘区的边缘,从而防止湿法蚀刻中产生凹部。

主权项

1、一种制造半导体器件的方法，其特征在于包含：(a)在半导体基片上形成用于均匀平整的阻挡膜；(b)通过蚀刻去除绝缘区的所述阻挡膜并进而蚀刻所述半导体基片来形成沟道；(c)在所述半导体基片上形成填充所述沟道的第一绝缘膜；(d)通过均匀平整去除所述阻挡膜上的所述第一绝缘膜；(e)去除所述阻挡膜；(f)在去除所述阻挡膜之后及形成栅氧化膜之前来形成第二绝缘膜；及(g)蚀刻所述第二绝缘膜。