| 主权项 |
1.一种积体电路之微影制程,该微影制程的步骤包括有:提供一导电层;于该导电层上沉积一抗反射覆盖层;对该抗反射覆盖层进行一含氮电浆处理;于该抗反射覆盖层上形成一光阻层,并定义该导电层;去除该光阻层;以及去除该抗反射覆盖层。2.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中该导电层之材质可由一材料族群所选择而成,该材料族群包括复晶矽、复晶金属矽化物、铝或其他金属所组成。3.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中该导电层包括一复晶层。4.如申请专利范围第3项所述之微影制程的制造步骤,其中形成该复晶层的方法为低压化学气相沉积法。5.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中该导电层包括一金属层。6.如申请专利范围第5项所述之微影制程的制造步骤,其中形成该金属层的方法为物理气相沉积法。7.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中该抗反射覆盖层为一氮氧矽化层。8.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中进行该含氮电浆处理之温度大约为400℃左右。9.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中进行该含氮电浆处理之功率大约为700瓦特左右。10.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中进行该含氮电浆处理之压力大约为4托耳左右。11.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中进行该含氮电浆处理之时间大约为60秒左右。12.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中定义该导电层的步骤包括有:于该光阻层上覆盖一光罩;以该光罩对该光阻层进行曝光与显影以形成一光阻罩幕;以及以该光阻罩幕定义并蚀刻该导电层。13.如申请专利范围第12项所述之微影制程的制造步骤,其中曝光该光阻层之光波为一深紫外线光波,该深紫外线光波之波长为248nm左右。14.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中去除该光阻层之方法为含氧电浆处理及一溶液族群所自由组合而成,而该溶液族群系由硫酸与双氧水溶液所组成。15.如申请专利范围第1项所述之微影制程的制造步骤,其中去除该抗反射覆盖层的溶液为一磷酸溶液。16.一种积体电路之微影制程,让微影制程的步骤包括有:提供一基底;于该基底上形成一堆叠层;于该堆叠层上形成一抗反射覆盖层;对该抗反射覆盖层进行一含氮电浆处理;于该抗反射覆盖层上覆盖一光阻层;定义该堆叠层;去除该光阻层;以及利用磷酸溶液去除该抗反射覆盖层。17.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中该堆叠层包括有一垫氧化层与一复晶层。18.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中该堆叠层包括有一金属层。19.如申请专利范围第17项所述之微影制程的制造步骤,其中形成该垫氧化层的方法为热氧化法。20.如申请专利范围第17项所述之微影制程的制造步骤,其中形成该复晶层的方法为低压化学气相沉积法。21.如申请专利范围第18项所述之微影制程的制造步骤,其中形成该金属层的方法为物理气相沉积法。22.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中该抗反射覆盖层的材质为氮氧矽化物。23.如申请专利范围第22项所述之微影制程的制造步骤,其中形成该氮氧化矽层的方法为电浆辅助化学气相沉积法。24.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中进行该含氮电浆处理法的温度大约为400左右。25.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中进行该含氮电浆处理法的功率大约为700瓦特左右。26.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中进行该含氮电浆处理法的压力大约为4托耳左右。27.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中进行该含氮电浆处理法的时间大约为60秒钟左右。28.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中定义该堆叠层的步骤包括有:于该光阻层上覆盖一光罩;以该光罩对该光阻层进行曝光与显影以形成一光阻罩幕;以该光阻罩幕定义该抗反射覆盖层与该堆叠层。29.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中去除该光阻层的方法为含氧电浆处理及一溶液族群所自由组合而成,而该溶液族群系由硫酸与双氧水溶液所组成。30.如申请专利范围第16项所述之微影制程的制造步骤,其中去除该抗反射覆盖层的溶液为磷酸,且温度大约为90℃左右。图式简单说明:第一图a至第一图d所示为积体电路中习知方法之微影制程;第二图a至第二图d所示为积体电路中本发明之微影制程;以及第三图a至第三图b所示为习知方法与本发明之微影制程之抗反射效率比较图;以及第四图所示为本发明之微影制程的抗反射覆盖层的蚀刻时间与片电阻相关图示。 |
