晶圆部分切割后之清理方法

摘要

一种自部份切割半导体晶圆(10)上清除杂物(24)之制程。本发明之方法包括清理部份制造之晶圆(12)，该晶圆已事先被制造有微机械装置(16)及该等装置可由部份切割制程所产生之颗粒，例如氧化物颗粒所破坏。本发明包括使用含有稀释氢氟酸及烃基己二醇之溶液来清理部份切割之晶圆。使用该溶液来清理具有两个目的。第一，该溶液可以清除包括该晶圆表面及锯口(22)上氧化物颗粒之杂物，及第二降低靠近该锯口(22)之CMOS层(14)表面(26)上的损坏深度，该锯口(22)被判定是在该晶圆清理制程之产生颗粒之来源。接下来在该晶圆在置入去除离子水中清洗之同时，亦施加一超强音波振动至该晶圆以去除任何其他的颗粒。在本发明之清洁制程之后，该半导体晶圆则经由更多的半导体制程来完成制造。在使用本发明的清理制程后，产量实质地获得改善。

主权项

1.一种清理具有部份完成结构半导体晶圆之方法,该方法包括有以下之步骤:a)在该半导体晶圆上涂布一层保护层;b)在该晶圆上部份地切割槽道;c)施布一溶液至该晶圆上,该溶液包括稀释之氢氟酸及烃基己二醇;d)继续处理该晶圆以完成该结构;及e)沿着该等部份切割之槽道断开该晶圆,以形成个别之晶片。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中包括在该溶液内加入去除离子之水。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该溶液包括容量百分比超过50%之烃基己二醇。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该溶液之烃基己二醇含有8份,该稀释之氢氟酸含有1份及该去除离子水约为1份。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该烃基己二醇包括甘油、丙烯己二醇、乙烯己二醇或丁烯己二醇。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该氢氟酸经过缓冲处理。7.根据申请专利范围第4项之方法,其中该氢氟酸之浓度约为0.5%。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中在执行该步骤d)前,进一步包括施加音波式振动至该溶液。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中在该步骤c)中包括将该晶圆在溶液中清洗之步骤,以清理该晶圆。10.根据申请专利范围第4项之方法,其包括在该溶液中清洗该晶圆之步骤可将靠近该槽道附近之保护层清除约600埃。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中该晶圆在该保护层下方包括有一氧化层,该氧化层在该步骤b)时被切割。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中该晶圆包括一部份制造之微机械装置。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中该保护层具有抗光性。14.根据申请专利范图第1项之方法,其中该保护层系由氧化物/抗光物质构成。15.根据申请专利范围第1项之方法,其进一步包括在步骤c)后乾燥该晶圆之步骤。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中该乾燥步骤系利用氮气吹乾该晶圆。图式简单说明:第一图为部份处理后半导体晶圆之剖面侧视图,揭露出在CMOS电路层上部份制造之微机械装置之结构性组件,该微机械性装置被一光阻保护层所覆盖,及进一步揭露在部份切割制程后,在锯口处出现的氧化物颗粒;第二图为本发明部份处理过半导体晶片经过清理制程后之剖视图,其中包括氧化物颗粒之杂物都已在使用氢氟酸及烃基己二醇混合液之清洗下由晶圆表面及锯口处清除,并且不损坏到部份完成晶片之微机械结构;及第三图为本发明之流程图,揭露出在不损坏部份处理过半导体晶圆上执行一系列连续步骤之流程。