电子式安定器之改良电路

摘要

本创作系关于一种电子式安定器之改良电路，其系于其组成的电晶体或金氧半场效电晶体(MOSFET)之基极与射极之间或闸极与源极之间加设一限波器电路，以防止因负载变动过大时或因电源变动时产生回授量过高，而破坏该电晶体或MOSFET，或因回授量过低而致使亮度不足或无法启动等现象。此外，本创作并于电子式安定器的电源供应端上增加一RL(电阻-电容)串联电路，以改善电子式安定器之功因数。因而本创作之电子式安定器可承受较一般电子式安定器更宽广的电源变动。

主权项

1.一种电子式安定器之改良电路,系包含一电源供应端和一或多个电晶体,其特征在于:在该电晶体的基极和射极之间设有一限流电路,以使该基射极间之电压(VBE)维持在其最大额定値以下。2.根据申请专利范围第1项之电子式安定器之改良电路,其中该电晶体可以金氧半场效电晶体取代,且在该金氧半场效电晶体的闸极和源极之间设有一限流电路,以使该闸源极间之电压(VGS)维持于其最大额定値以下。3.根据申请专利范围第1项之电子式安定器之改良电路,其中该限流电路系由电阻与二个齐纳二极体并联而成。4.根据申请专利范围第1或2项之电子式安定器之改良电路,其中该电源供应端上并串联以一电阻电感(RL)电路,该电路可以电感平衡电阻的阻抗値,以提高电路的功因数。图式简单说明:第一图:本案之一实施例电路图。第二图:本案之另一实施例电路图。