| 主权项 |
1.一种制造螺脊垂直腔表面发射雷射之方法,包括下列步骤:提供具有表面之基板(103),该表面上放置有分布布雷格(Bragg)反射器(105)之第一堆叠,活化区域(107),分布之布雷格反射器(109)之第二堆叠,接触区(111)及介电层(115),其中分布布雷格反射器(105)之第一堆叠系在该表面上,其中该活化区域(107)系在分布布雷格反射器(105)之第一堆叠上,其中分布布雷格反射器(109)之第二堆叠系在活化区域(107)上,其中接触区(111)系在分布布雷格反射器(109)之第二堆叠上,及其中介电层(115)系在接触区(111)上;经由介电层(115),接触区(111)绘图一第一隔离沟(201)并繣入制成螺脊(206)之分布布雷格反射器(109)之第二堆叠部份中,其中第一隔离沟(201)围绕该介电层(115)之部份、该接触区(111)及该分布布雷格反射器(109)之第二堆叠部份;经由该介电层(115),接触区(111),分布布雷格反射器(109)之第二堆叠,活化区域(107)及分布布雷格反射器(105)之第一堆叠而绘图一第二隔离沟(307)而外切该第一隔离沟(201);在分布布雷格反射器(105)之第一堆叠上形成第一电接触点(314);及在螺脊(206)之接触区(111)上形成第二电接触点(604)。2.根据申请专利范围第1项之制造螺脊垂直腔表面发射雷射之方法,其中经由介电层(115),接触区(111),繣图该第一隔离沟(201)并繣入该分布布雷格反射器(109)之第二堆叠部份中之步骤,所繣之分布布雷格反射器(109)之第二堆叠部份具有自1.0或更小范围之活化区域之距离(207)。3.根据申请专利范围第2项之制造螺脊垂直腔表面发射雷射之方法,其中所绘之分布布雷格反射器(109)之第二堆叠部份具有自0.75微米或更小范围之距离(207)。4.根据申请专利范围第3项之制造螺脊垂直腔表面发射雷射之方法,其中分布布雷格反射器(109)之第二堆叠部份范围系在0.5微米等级。5.根据申请专利范围第1项之制造螺脊垂直腔表面发射雷射之方法,其中提供具有表面之基板(103)之步骤,该表面上放置有分布布雷格反射器(105)之第一堆叠,活化区域(107),分布布雷格反射器(109)之第二堆叠,接触区(111);提供该接触区(111)又包含下列步骤;在分布布雷格反射器(109)之第二堆叠上形成砷化镓层;及在该砷化镓层上形成金属层。6.根据申请专利范围第1项之制造螺脊垂直腔表面发射雷射之方法,其中在分布布雷格反射器(105)之第一堆叠上形成第一电接触点(314),在分布布雷格反射器(105)之第一堆叠上形成第一接触点(314)系以开启(lift-off)制程而达成。7.一种制造垂直腔表面发射雷射之方法,包括下列步骤:提供具有表面之基板(103),该表面上放置有分布布雷格反射器(105)之第一堆叠,活化区域(107),分布布雷格反射器(109)之第二堆叠,及接触区(111);在该接触区(111)上放置第一氮化矽层(115);屏蔽该第一氮化矽层(115),因而产生第一氮化矽层(115)之曝光部份且覆盖第一氮化矽层(115)之未曝光部份,其中至少一个曝光部份围绕未曝光部份;经由该接触区(111)及分布布雷格反射器(109)之第二堆叠部份蚀刻该第一氮化矽层(115)之曝光部份,因而形成围绕台面(206)之第一隔离沟(201);以氢植入基板(103)之表面(203)形成限制区(205);在基板(103)上沈积第二氮化矽层(302);屏蔽该第二氮化矽层(302),其中该屏蔽覆盖该台面(206)及该第一隔离沟(201)同时自第一隔离沟(201)曝光掉其他部份;蚀刻该第二氮化矽层(302)之曝光部份以移除第二氮化矽层(302)之曝光部份及接触区(111)、该分布布雷格反射器(109)之第二堆叠,该活化区域(107)及分布布雷格反射器(105)之第一堆叠部份,因而形成第二隔离区;在第一分布布雷格反射器(105)上形成金属接触点(314);在基板(103)上沈积第三氮化矽层(402);屏蔽该第三氮化矽层(402),其中该屏蔽曝露该覆盖台面(206)之第三氮化矽层(402);蚀刻该第三氮化矽层(402),因而移除覆盖该台面(306)之第三氮化矽层(402);在基板(103)上沈积导电材料(502);屏蔽该导电材料(502),其中台面(206)上之导电材料(502)部份予以曝光;蚀刻该导电材料(502),因而移除在台面(206)上曝光之导电材料(502)部份;在该基板(103)表面上放置反反射涂层;屏蔽该反反射涂层,其中导电材料上部份之反反射涂层予以曝光;及蚀刻该部份之反反射涂层,因而移除该部份之反反射涂层并曝光该导电材料(502)部份。8.根据申请专利范围第7项之制造垂直腔表面发射雷射之方法,其中在第一分布布雷格反射器上形成金属接触点(314)之步骤中,金属接触点(314)系以开启(lift-off)制程形成。图式简单说明:第一图为部份完成之螺脊垂直腔表面发射雷射之基板,活化区域,分布布雷格反射器之第一及第二堆叠、及接触区之剖面图;第二图为如第一图所示之基板在蚀刻制程成部份完成螺脊垂直腔表面发射雷射后之剖面图;第三图为如第二图所示之基材在沈积一层而成部份完成之螺脊垂直腔表面发射雷射后之剖面图;第四图为如第三图所示之基材在另一次蚀刻制程成部份完成之螺脊垂直腔表面发射雷射后之剖面图;第五图为如第四图所示之基材在移除部份完成之螺脊垂直腔表面发射雷射之一层后之剖面图;第六图为螺脊垂直腔表面发射雷射之实例。 |
