半导体接合保护用玻璃复合物、半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、CaO、MgO及BaO中至少二种碱土类金属的氧化物，且实质上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn。根据本发明的半导体接合保护用玻璃复合物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往以使用以硅酸铅为主要成分的玻璃材料时同样的高耐压的半导体装置。另外，由于实质上不含有Zn，因而可以制造耐药品性（特别是耐氟酸性）较高、具有较高的可靠性的半导体装置。另外，在蚀刻除去硅氧化膜的工程等工程中，无需通过光致抗蚀剂保护玻璃层，因而还可以获得将工程简化的效果。

主权项

一种半导体接合保护用玻璃复合物，一种用于保护位于半导体元件的pn结露出部的半导体接合保护用玻璃复合物，其特征在于：至少含有SiO₂、B₂O₃、Al₂O₃、CaO、MgO及BaO，且不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K、Zn，其中，所述SiO₂含量在58.0mol％～72.0mol％范围内，所述B₂O₃含量在6.8mol％～16.8mol％范围内，所述Al₂O₃含量在7.0mol％～17.0mol％范围内，所述CaO含量在2.8mol％～7.8mol％范围内，所述MgO含量在1.1mol％～3.1mol％范围内，所述BaO含量在1.7mol％～4.7mol％范围内。