| 主权项 |
1.一种可熟化组合物,包括:(a)以该组合全部重量为基准,0.01至20重量%之N-取代之4-(邻硝苯基)二氢啶,其中以位置1键结于二氢啶之取代基系选自由烷基,烯基,芳基及芳烷基组成者;其中以位置2及6键结于二氢啶之取代基系1至3个碳原子之烃;且其中以位置3及5键结于二氢啶取代基系选自由1至4个碳原子之烷氧基组成者;及(b)一通式为(R2SiO2/2)a(RSiO3/2)b之矽氧烷聚合物,其中各R仅可独立选自氢原子及具1至8个碳原子之烃基,其中RSiO3/2中之R为氢原子之部份与其中R2SiO2/2中R之一或二者皆为氢原子之部分之总和为RSiO3/2单元及R2SiO2/2单元量之至少5%;且O≦a≦1,0≦b≦1,a+b=1。2.根据申请专利范围第1项之可熟化组合物,其更包含(c)一含羟基之交联剂,该羟基仅选自每分子具平均至少二个矽醇基之矽烷,每聚合物分子具平均至少二个矽醇基之聚矽氧聚合物及水之羟基。3.根据申请专利范围第1项之可熟化组合物,其中该矽氧烷聚合物(b)仅可以选自通式为(HRSiO2/2)a(RSiO3/2)b,(R2SiO2/2)a(HSiO3/2)b,(HSiO3/2)b及(HSiO3/2)a(RSiO3/2)b。4.根据申请专利范围第1项之可熟化组合物,其中矽氧烷聚合物(b)每分子包含至少二个矽醇基。5.根据申请专利范围第1项之可熟化组合物,其中额外存在一溶剂。6.一种形成对应负片光罩之熟化产物图腾之方法,其中该方法包括(A)根据申请专利范围第1或2项之可熟化组合物涂布于一基材,(B)将一部份阻隔紫外照射之光罩置于该涂层及紫外辐射来源间,(C)以波长200至400毫米之紫外线照射该涂层组合物。(D)在0℃至200℃之温度加热该照射涂层,及(E)以接触一溶剂溶解并移除任何未熟化之组合物。7.根据申请专利范围第7项之方法,其中该涂层系在相对湿度10%或更高之大气中于0℃至100℃之温度照射。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中照射该涂层直到在该可熟化组合物中存在至少10%N-取代之4-(邻硝苯基)二氢噙啶顷被转化为硷。9.根据申请专利范围第7项之方法,其中该涂层系在以紫外线照射前受热至150℃或更低之温度。 |
