| 主权项 |
1.一种检查被检查体之电气特性的方法,系利用测定用触头做电气接触之电极,在检查具有在前述电极表面上形成使与前述测定用触头之电气接触电阻增加之被膜之电极之被检查体之电气特性的方法,包含以下步骤:气相处理前述被检查体,藉此,至少除去前述电极上之前述测定用触头所接触之部分的前述被膜之步骤;使前述测定用触头接触在已除去前述电极上之前述被膜之部分,且检查前述被检查体之电气特性之步骤。2.一种检查被检查体之电气特性的方法,系利用测定用触头做电气接触之电极,在检查具有在前述电极表面上形成使与前述测定用触头之电气接触电阻增加之被膜之电极之被检查体之电气特性的方法,包含以下步骤:从收容有前述被检查体之收容室,顺序将各被检查体搬送至处理室之步骤;于前述处理室中,电浆处理前述被检查体,藉此,至少除去前述电极上之前述测定用触头所接触之部分的前述被膜之步骤;将前述被检查体搬送至检查室之步骤;于前述检查室中,使前述测定用触头接触于已除去前述电极上之前述被膜的部分,且实施前述被检查体之电气特性检查之步骤。3.一种检查积体电路之电气特性的方法,系形成于半导体晶圆上,利用测定用触头做电气接触之电极,在检查具有在前述电极表面上形成使与前述测定用触头之电气接触电阻增加之被膜之前述电极之积体电路的电气特性的方法,包含以下步骤:电浆处理前述半导体晶圆,藉此,至少除去前述电极上之前述测定用触头所接触之部分的前述被膜之步骤;使前述测定用触头接触于已除去前述电极上之前述被膜之部分,且检查前述积体电路之电气特性之步骤。4.一种检查积体电路之电气特性之方法,系在半导体晶圆上形成之利用测定用触头做电气接触之由铝所构成之电极,在检查具有在前述电极之表面上形成使与前述测定用触头之电气接触电阻增加之氧化铝被膜之前述电极的积体电路之电气特性之方法,包含以下步骤:电浆处理前述半导体晶圆,藉此,至少除去前述积体电路之前述电极上之前述测定用触头所接触的部分之前述氧化铝被膜之步骤;使前述测定用触头接触于已除去前述电极上之前述被膜之部分,且检查前述积体电路之电气特性之步骤。5.如申请专利范围第4项所记载之检查积体电路之电气特性之方法,其中,有关前述电浆处理之步骤,系使用含氯化系气体之反应性气体之步骤。6.如申请专利范围第4项所记载之检查积体电路之电气特性之方法,其中,有关前述电浆处理之步骤,系使用含三氯化硼、四氯化碳中之至少一种气体之反应性气体。7.如申请专利范围第4项所记载之检查积体电路之电气特性之方法,其中,有关前述电浆处理之步骤,系利用由电浆产生用高频电力,电浆产生用气体之供给速度,及电浆产生用气体之压力中之1种或2种以上所构成之控制因子(control agent)所控制。8.一种检查IC晶片之电气特性之方法,系利用测定用触头做电气接触之由铝所构成之电极,在检查具有在该电极表面上形成使与前述测定用触头之电气接触电阻增加之氧化铝被膜之前述电极之IC晶片之电气特性之方法,包含以下步骤:电浆处理前述IC晶片,藉此,至少除去前述IC晶片之前述电极上之前述测定用触头所接触之部分之前述氧化铝被膜之步骤;使前述测定用触头接触于已除去前述电极上之前述被膜之部分,且检查前述IC晶片之电气特性之步骤。9.一种检查被检查体之电气特性之装置,系利用测定用触头做电气接触之电极,在检查具有在该电极之表面上形成使与该测定用触头之电气接触电阻增加之被膜之前述电极之被检查体之电气特性之装置,包含:收容该被检查体之收容装置;电浆处理该被检查体,藉此,至少除去该电极上之该测定用触头所接触之部分的该被膜之装置;使该测定用触头接触于已除去该电极上之该被膜之部分,且检查该被检查体之电气特性之检查装置;以及,在该收容装置与电浆处理装置之间,该电浆处理装置与该检查装置之间,以及该检查装置与该收容装置之间,搬送该被检查体之搬送装置。10.一种检查积体电路之电气特性之检查装置,系形成于半导体晶圆上,利用测定用触头做电气接触之电极,在检查具有在该电极表面上形成使与该测定用触头之电气接触电阻增加之被膜之该电极之积体电路之电气特性的装置,包含:收容该半导体晶圆之收容装置;电浆处理该半导体晶圆,藉此,至少除去该电极上之该测定用触头所接触之部分的该被膜之装置;使该测定用触头接触于已除去该电极上之该被膜之部分,且检查该积体电路之电极特性之检查装置;以及,在该收容装置与电浆处理装置之间,该电浆处理装置与该检查装置之间,以及该检查装置与该收容装置之间,搬送该半导体晶圆之搬送装置。11.一种检查积体电路之电气特性之装置,系形成于半导体晶圆,利用测定用触头做电气接触之由铝所构成之电极,在检查具有在该电极表面上形成使与该测定用触头之电气接触电阻增加之氧化铝被膜之该电极的积体电路之电气特性之装置,包含:收容该积体电路之收容装置;电浆处理该半导体晶圆,藉此,至少除去该电极上之该测定用触头所接触之部分的该氧化铝被膜之装置;使该测定用触头接触于已除去该电极上之该被膜之部分,且检查该积体电路之电气特性之检查装置;以及,在该收容装置与电浆处理装置之间,该电浆处理装置与该检查装置之间,以及该检查装置与该收容装置之间,搬送该被检查体之搬送装置。12.如申请专利范围第11项所记载之检查积体电路之电气特性之装置,其中,于除去该氧化铝被膜之装置中之电浆处理,系使用含氮系气体之反应性气体之处理。13.如申请专利范围第11项所记载之检查积体电路之电气特性之装置,其中,于除去该氧化铝被膜之装置中之电浆处理,系使用含三氯化硼、四氯化碳中之至少一种气体之反应性气体之处理。14.如申请专利范围第11项所记载之检查积体电路之电气特性之装置,其中,于除去该被膜之装置中之该电浆处理,系利用由电浆产生用之高频电力,电浆产生用气体之供给速度,以及电浆产生用气体之压力中之1种或2种以上所构成之控制因子(control agent)所控制。15.一种检查积体电路之电气特性之装置,系形成于半导体晶圆上,利用测定用触头做电气接触之由铝所构成之电极,在检查具有在该电极表面上形成会使与该测定用触头之电气接触电阻增加之氧化铝被膜之该电极之积体电路之电气特性之装置,包含:收容该积体电路之收容装置;分别具有电浆处理该半导体晶圆,藉此,至少除去该电极上之该测定用触头所接触之部分的该氧化铝被膜之装置之多数电浆处理室;分别具有使该测定用触头接触于已除去该电极上之该被膜之部分,且检查该积体电路之电气特性之检查装置之多数检查室;在该收容装置与各电浆处理室之间,该各电浆处理室与该各检查室之间,以及该检查室与该收容装置之间,分别设置用以搬送该半导体晶圆之搬送装置之多数搬送室;以及,可同时并行控制该多数电浆处理室,检查室,以及搬送室之各项处理之控制装置。16.如申请专利范围第15项所记载之检查被检查体之电气特性之装置,在各室间,设置供该半导体晶圆通过之闸门,且在该各闸门,设置使各室成气密状态用之闸阀。图式简单说明:第一图系显示实施本发明之检查方法时,合适使用之本发明之检查装置之一实施形态之内部的平面图。第二图系显示第一图之检查装置之要部截面图。第三图A,第三图B及第三图C系显示使用第一图,第二图之检查装置除去氧化膜时之各种条件与腐蚀速度之关系的图表。第四图系显示实施本发明时,合适使用之检查装置之其他实施形态之内部的平面图。第五图系显示,使用习知的检查装置检查IC晶片时之晶圆之动态与探针之关系的要部放大图。第六图系显示,使用习知的检查装置检查IC晶片时之晶圆的动态与垂直针之关系的要部放大图。第七图系显示,使用习知的检查装置检查IC晶片时之晶圆的动态与接触电极之关系的要部放大图。 |
