| 主权项 |
1.一种CRT内部元件之制造方法,具备:除去空气中氧化性气体的步骤;发热型转化气体生成步骤,将碳氢化合物及已除去氧化性气体之空气导入转化炉中以生成发热型转化气体;冷却步骤,将发热型转化气体冷却至较露点为高之既定温度;将含氧气体添加入在上述既定温度冷却之发热型转化气体中之步骤;以及黑化处理步骤,将已添加含氧气体之发热型转化气体导入收容有CRT内部元件之黑化炉以对CRT内部元件之表面施加黑化处理。2.如申请专利范围第1项所述之CRT内部元件之制造方法,其中,导入黑化炉之发热型转化气体的温度较发热型转化气体的各成分之沸点为高。3.如申请专利范围第1项所述之CRT内部元件之制造方法,其中,在发热型转化气体生成步骤前具备令空气乾燥之步骤。4.如申请专利范围第1项所述之CRT内部元件之制造方法,其中,在添加含氧气体之步骤前具备令含氧气体乾燥之步骤。5.如申请专利范围第1项所述之CRT内部元件之制造方法,其中,在添加含氧气体之步骤前具备除去含氧气体中的氧化性气体之步骤。6.一种CRT内部元件之制造装置,具备:将空气中之氧化性气体除去之除去装置;转化炉,用来将所导入之碳氢化合物及已除去氧化性气体之空气转化成发热型转化气体;冷却装置,用来将发热型转化气体冷却至高于露点之温度;可添加含氧气体至在上述既定温度冷却之发热型转化气体之添加装置;以及黑化炉,藉由所导入之已添加含氧气体之发热型转化气体以对CRT内部元件施加黑化处理。7.如申请专利范围第6项所述之CRT内部元件之制造装置,其中,导入黑化炉之发热型转化气体的温度较发热型转化气体的各成分之沸点为高。8.如申请专利范围第6项所述之CRT内部元件之制造装置,其中,具备可令导入转化炉中之空气乾燥之第1乾燥装置。9.如申请专利范围第6项所述之CRT内部元件之制造装置,其中,含氧气体为相对于发热型转化气体5[体积%]-30[体积%]之空气。10.如申请专利范围第6项所述之CRT内部元件之制造装置,其中,具备将添加入发热型转化气体中之含氧气体乾燥之第2乾燥装置。11.如申请专利范围第6项所述之CRT内部元件之制造装置,其中,具备可将添加入发热型转化气体中之含氧气体中之氧化性气体除去之第2除去装置。图式简单说明:第一图系显示本发明的CRT内部元件之制造装置的构成之方块图。第二图系显示习知的CRT内部元件之制造装置的构成之方块图。 |
