| 主权项 |
1.一种记忆体装置,其包含在摺叠位元线结构中储存资料的记忆体细胞,其包含:一群放大器来将储存在该记忆体细胞的资料传送到输入/输出装置;一群第一整体位元线,其根据该记忆体细胞的数目区分为一群单元,并选择性的连接到该放大器;一群第二整体位元线,其对应于该第一整体位元线来区分为一群单元,并选择性的连接到该放大器;一群第一切换装置,其选择性的以第一控制信号连接到该区分的整体位元线;一群由连接到该记忆体细胞的第一与第二位元线组成的辅助位元线对;及一群第二切换装置以第二控制信号电气连接该辅助位元线对到该第一与第二整体位元线,其中该第一与第二位元分别连接到该区分整体位元线的不同单元,经由该第二切换装置及连接到该辅助位元线之该区分的整体位元线来连接到该放大器。2.根据申请专利范围第1项之记忆体装置,其中该第二控制信号在致能信号接到该记忆体细胞前接到该第二切换装置。3.根据申请专利范围第1项之记忆体装置,该第一控制信号藉由操作该第二控制信号而产生。4.一种记忆体装置,其包含:一群放大器来将储存在该记忆体细胞中的资料传送到输入/输出装置;一群记忆体区块,其包含:连接到第一记忆体细胞的第一位元线;连接到第二记忆体细胞的第二位元线,其中该第二位元线与该第一位元线形成第一位元线对;连接到第三记忆体细胞的第三位元线;连接到第四记忆体细胞的第四位元线,其中该第四位元线与该第三位元线形成第二位元线对;字线分别连接到第一至第四记忆体细胞来选择该记忆体细胞;第一整体位元线,其选择性的连接到该放大器的其中一个;第二整体位元线,其选择性的连接到该放大器中的另一个;第一切换装置来选择性的连接该第一位元线到该第一整体位元线,及连接该第二位元线到该整体第二位元线,用第一控制信号;第二切换装置来选择性的连接该第三位元线到该第一整体位元线,及连接该第四位元线到该整体第二位元线,用第二控制信号;及第三切换装置,在该记忆体细胞不是被选到的记忆体区块时,藉第三控制信号来选择性的连接第一整体位元线与第二整体位元线,藉之,该第一与第二整体位元线可选择性的传送附近细胞资料中的一个。5.根据申请专利范围第4项的记忆体装置,其中该第二控制信号在致能信号接到该记忆体细胞前接到该第二切换装置。6.根据申请专利范围第4项的记忆体装置,其中该第三控制信号藉操作第一与第二控制信号来产生。7.一种记忆体装置,其包含在开放的位元线结构中储存资料的记忆体细胞,其包含:一群放大器来将储存在该记忆体细胞的资料传送到输入/输出装置;一群整体位元线,其根据该记忆体细胞的数目区分为一群单元,并选择性的连接到该放大器;一群第一切换装置,其选择性的以第一控制信号连接到该区分的整体位元线;一群由连接到该记忆体细胞的第一与第二位元线组成的辅助位元线对;及一群第二切换装置以第二控制信号电气连接该辅助位元线对到该第一与第二整体位元线,其中该第一与第二位元分别连接到该区分整体位元线的不同单元,经由该第二切换装置及连接到该辅助位元线之该区分的整体位元线来连接到该放大器。8.根据申请专利范围第7项的记忆体装置,其中该第二控制信号在致能信号接到该记忆体细胞前接到该第二切换装置。9.根据申请专利范围第7项的记忆体装置,该第一控制信号藉由操作该第二控制信号而产生。图式简单说明:第一图A是一概略图示,其说明传统分层位元线的结构;第一图B是一概略图示,其说明第一图A中的动作;第二图A与第二图B的概略图示,其说明使用传统位元线的晶片区域,以及使用根据本发明的分层位元线的晶片区域;第三图A是一概略图示,其说明根据本发明中组成分层位元线的切换单元之一电路;第三图B与第三图C是一概略图示,其说明第三图A的动作;第四图A是一概略图示,其说明根据本发明具有摺叠位元线的具体实例;第四图B是一概略图示,其说明第四图A的动作;第五图A是一概略图示,其说明根据本发明具有开放位元线的具体实例;第五图B是一概略图示,其说明第五图A的动作;第六图是一概略图示,其说明使根据本发明的切换装置作用的方法;及第七图是一概略图示,其说明产生整体位元线与次位元线的电路。 |
