| 主权项 |
1.一种自行对准金属矽化物元件的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一第一型基底,在该基底上至少包括一金氧半元件区域,包括一闸极区、一淡掺杂汲极区与一元件隔离区;(b)在该基底表面形成一第一绝缘层;(c)以非等向性过度回蚀刻去除该第一绝缘层,在该闸极区侧壁形成间隙壁,同时去除部份该元件隔离区;(d)以该间隙壁与该闸极区为罩幕,对该元件区域进行第二型离子植入,在该闸极区两侧之该基底中形成复数个源极/汲极区;(e)在上述各层表面形成一第二绝缘层;(f)以非等向性回蚀刻去除该第二绝缘层,在被去除的该元件隔离区侧边、该间隙壁底部侧边、以及在露出的该闸极区侧边形成复数个寄生间隙壁;(g)在上述各层表面形成一金属层;(h)以快速热制造使该金属层与该闸极区与该些源极/汲极区表面之矽反应形成一金属矽化物,之后以选择性蚀刻去除未反应的该金属层;(i)在表面依序形成一第三绝缘层与一介电层;(j)定义该介电层之图案并以该第三绝缘层为终止层,形成复数个宽边界式接触窗;以及(k)再经由该些宽边界式接触窗将该第三绝缘层去除,露出该金属矽化物,完成本发明一种自行对准金属矽化物的制造方法。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一型为P型,该第二型为N型。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一型为N型,该第二型为P型。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(a)中之该元件隔离区系为浅沟槽隔离。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(a)中之该元件隔离区系为场氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该第一绝缘层系为氧化矽层。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(b)中之该第一绝缘层系为氮化矽层。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(d)可移至步骤(f)与步骤(g)之间。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(e)中之该第二绝缘层系为氧化矽层。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(e)中之该第二绝缘层系为氮化矽层。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(g)中之该中之该金属层为钛金属。12.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(i)中之该第三绝缘层为氮化矽层。13.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤(i)中之该介电层为氧化矽层。图式简单说明:第一图A-第一图E是习知一种自行对准金属矽化物元件的制造方法;以及第二图A-第二图G是依照本发明一较佳实施例,一种自行对准金属矽化物元件的制造方法。 |
