具双接地之射频功率封装

摘要

一种安装在多层印刷电路板上散热槽之ＲＦ功率电晶体封装，而且包括从位在一陶底材顶端的电晶体晶片至一形成凸缘的直接顶端接地路径，而其并未穿过陶质底材，举例来说，经由金属制电镀陶质底材的一外部表面至凸缘顶端所安装的金属。从电晶体晶片至所安装凸缘的一直接接地路径以经由陶质底材的电镀孔洞也可电镀。当所形成凸接合在散热槽时，顶端的接地路径也建构成与多层印刷电路板的中间接地参考层相互连接，所以一致性的地电位会出现在电晶体的中间层和散热槽。在此方法中，当其它的元件系连接至印刷电路板上时，功率电晶体封装系接地在相同的参考电位上，而藉由接地路径孔洞仍然可提供高效率特性。

主权项

1.一种RF功率电晶体封装,包括:一电晶体晶片具有一或更多接地端连接至一共同的接地平面,其中该电晶体晶片及该共同的接地平面系接合至一非传导性底材的第一表面;一所建构的传导性安装凸缘用以接合至一散热槽,其中该非传导性底材的第二表面系接合至该凸缘,底材在相对的第一和第二表面之间具有许多所延伸的传导性电镀孔洞,并且在该共同的接地平面及凸缘间形成一第一导电路径;一传导性引线系从该底材的第一表面延伸,并连接至该共同的接地平面;及一第二导电路径系将该引线连接至凸缘,该第二导电路径系位在该非传导性底材的外部。2.如申请专利范围第1项之RF功率电晶体封装,该凸缘具有沉积在第一表面上的一沟渠,并建构成用以座落在该非传导性底材上,如此从实质平面当作是该凸缘表面的该底材而延伸的引线部分。3.如申请专利范围第2项之RF功率电晶体封装,其中该引线系直接与凸缘接触。4.如申请专利范围第1项之RF功率电晶体封装,该第二导电路径包括括在一非传导性底材的第三表面上所沉积的传导性电镀。5.如申请专利范围第1项之RF功率电晶体封装,该第二导电路径包括在相对的引线和凸缘之间所沉积的一传导性连接器。6.如申请专利范围第1项之RF功率电晶体封装,该第二导电路径包括在相对的引线和凸缘之间所沉积的许多传导性连接器。7.如申请专利范围第1项之RF功率电晶体封装,该引线系建构成能够与封装所接合在印刷电路板的一项端表面上所沉积的一接地引线相互导电。8.一种RF功率电晶体封装,包括:一电晶体晶片具有一或更多的接地端连接至共同的接地平面,其中该电晶体晶片及该共同的接地平面是接合至一非传导性底材的一第一表面;一传导性安装凸缘系建构成用以接合至散热槽,其中该非传导性底材的一第二表面系接合至该凸缘,该底材具有在相对的第一和第二表面之间所延伸的许多传导性电镀孔洞,并在该共同的接地平面与该凸缘间形成一第一导电路径;一传导性的引线系从该底材的第一表面所延伸出的,并连接至该共同的接地平面;及传导性电镀处理是在该非导体底材的一第三表面上所沉积的,并从该共同的接地平面至该凸缘而形成一第二导电路径,其中该引线系建构成能够与封装所接合在印刷电路板的一顶端表面上所沉积的一接地端引线相互导电。9.如申请专利范围第8项之RF功率电晶体封装,该凸缘具有一所建构成的渠沟用于座落在该非传导性的底材上,如此在实质平面上的一引线会相对连接至该凸缘。图式简单说明:第一图系根据本发明第一观点的一较佳RF功率电晶体封装的顶视图;第二图是在第一图中的RF功率电晶体封装的侧视图;第三图是在第一图中的RF功率电晶体封装的安装凸缘的侧视图;且第四图系根据本发明进一步观点的另一较佳RF功率电晶体封装的侧视图。