| 主权项 |
1.一种白金电阻温度感测元件的制作方法,包含下列步骤:在基材表面上形成遮罩,该遮罩的图案相当于所欲形成之白金电阻温度感测元件之白金电路的负片图案;利用该遮罩的窗口对该基材进行蚀刻,以在该基材上形成凹槽,该凹槽的图案相当于该白金电阻温度感测元件之该白金电路的正片图案;将该遮罩完全移除;在蚀刻完成的该基材与该凹槽的表面上形成一层介电层,该介电层可分成位于该凹槽内之表面粗糙的凹陷区域与位于该基材表面之平滑区域;在该介电层的表面镀上一层白金薄膜,该白金薄膜可区分为位于该凹槽内之该凹陷区域上的第一白金层,与位于该基材表面之该平滑区域上的第二白金层;及对镀有该白金薄膜的该基材及该介电层进行表面研磨,将位于该介电层之该平滑区域上的该第二白金层移除,而位于该凹槽内之该第一白金层仍然附着在该凹槽内,藉以形成该白金电阻温度感测元件的该白金电路。2.如申请专利范围第1项之白金电阻温度感测元件的制作方法,其中该基材为矽基材。3.如申请专利范围第2项之白金电阻温度感测元件的制作方法,其中该介电层为将该矽基材的表面氧化所形成之二氧化矽层,或将该矽基材的表面氮化所形成之氮化矽层。4.如申请专利范围第1项之白金电阻温度感测元件的制作方法,其中该凹槽为一V形凹槽。5.一种白金电阻温度感测元件的制作方法,包含下列步骤:在一介电质基材表面上形成遮罩,该遮罩的图案相当于所欲形成之白金电阻温度感测元件之白金电路的负片图案;利用该遮罩的窗口对该介电质基材进行蚀刻,以在该介电质基材上形成凹槽,该凹槽的图案相当于该白金电阻温度感测元件的白金电路图案,该介电质基材因而可分成位于该凹槽之表面粗糙的凹陷区域与位于该介电质基材表面之平滑区域;将该遮罩完全移除;在该介电质基材的表面形成一层白金薄膜,该白金薄膜可区分为位于该凹槽表面之该凹陷区域上的第一白金层,与位于该介电质基材表面之该平滑区域上的第二白金层;及对镀有该白金薄膜的该介电质基材进行表面研磨,将位于该介电质基材表面之该平滑区域上的该第二白金层移除,而位于该凹槽内之该第一白金层仍然附着在该凹槽内,藉以形成该白金电阻温度感测元件的该白金电路。6.如申请专利范围第6项之白金电阻温度感测元件的制作方法,其中该凹槽为一V形凹槽。7.一种依照申请专利范围第1项之白金电阻温度感测元件的制作方法所制成之白金电阻温度感测元件的结构。8.一种依照申请专利范围第5项之白金电阻温度感测元件的制作方法所制成之白金电阻温度感测元件的结构。图式简单说明:第一图A至第一图E之剖面图系用来说明习知白金电阻温度感测元件制造方法中电阻温度感测元件装置于各阶段的结构。第二图A至第二图G之剖面图系用来说明另一习知白金电阻温度感测元件制造方法中电阻温度感测元件装置于各阶段的结构。第三图A至第三图H之剖面图则系用来说明本发明较佳实施例之白金电阻温度感测元件制造方法中,电阻温度感测元件装置于各阶段的结构。第四图为第三图E之局部放大图,用来显示V型蚀刻槽的粗糙表面。第五图为第三图G之局部放大图,用来显示白金薄膜、二氧化矽层、及基材之间的细部构造。第六图为第三图H之局部放大图,显示制造完成后白金电路的横切面。第七图为依据本发明较佳实施例所制造之白金电路的立体图。 |
