| 主权项 |
1.一载体与一半导体晶圆结合,该晶圆有一平整的正面、一平整的背面及一位于该正面舆该背面间修圆的边缘,包括该载体有至少三个突出部位,用以支承半导体晶圆修圆的边缘,以致半导体晶圆位于水平状态,该载体并不与半导体晶圆的正面与背面接触;该突出部位的形状旨在使半导体晶圆修圆的边缘完全被支承在一介于半导体晶圆正面与背面之间经圆的虚中央平面之下;其中一防护环围绕着水平置放的半导体晶圆的修圆边缘,该防护环与该边缘成等距离;该防护环与该载体连接,但可分离。2.如申请专利范围第1项的载体,其中该载体的突出部位之形状为使半导体晶圆的边缘完全被支承在一个与中央平面相平行的虚平面之下,该虚平面偏离该中央平面,与该半导体晶圆背面间的距离最多只有该半导体晶圆中央平面与其背面间距离的80%。3.如申请专利范围第1或2项的载体,其中载体系采用包括玻璃、石英玻璃、陶瓷和矽等材料中一种材料所制成。4.如申请专利范围第1或2项的载体,其中该载体涂敷一种抑制污染物扩散的保护外壳。5.如申请专利范围第1或2项的载体,其中该载体的表面建造成一个环形的圆缘。6.如申请专利范围第1或2项的载体,其中该载体呈环形,该环中央有一孔,因该孔乃可自由使用半导体晶圆的背面。7.如申请专利范围第1或2项的载体,其中该载体做成具有延续盘底的形状,该盘底完全掩盖着半导体晶圆的背面。8.如申请专利范围第1或2项的载体,系用作在至少200℃以上温度下处理半导体晶圆。图式简单说明:第一图a示依照本发明一项实施例的一个载体,和一片被置放于该载体上的半导体晶圆所组合的截面图。第一图b为第一图a的部份放大图。第二图示根据本发明的另一实施例如第一图b的载体。 |
