| 主权项 |
1.一种冷却方法,主要系用于冷却被处理基板之方法,其特征为,具备:(a)在于使搬入于冷却组之前之上述被处理基板待候之位置而将上述被处理基板予以冷却之过程;及(b)在于上述冷却组内实施经上述被冷却之被处理基板之冷却之过程。2.如申请专利范围第1项所述之冷却方法,其中于上述(a)之过程中,将上述被处理基板接触于被冷却之支撑体上以实施冷却者。3.如申请专利范围第2项所述之冷却方法,其中藉冷却元件来冷却上述支撑体者。4.如申请专利范围第2项所述之冷却方法,其中藉冷却元件及冷却水来冷却上述支撑体者。5.如申请专利范围第1项所述之冷却方法,其中上述(a)过程系包含有对于上述被处理基板吹喷离子化气体之过程者。6.如申请专利范围第5项所述之冷却方法,其中上述(a)过程系包含有对于上述被处理基板吹喷离子化气体之过程之后吹喷被冷却之气体之过程者。7.一种冷却方法,主要系用于冷却被处理基板之方法,具备有:(a)在搬入于冷却组之中途对于上述被处理基板施予冷却之过程;及(b)在上述冷却组内实施对于上述经冷却之被处理基板之冷却之过程,为其特征者。8.如申请专利范围第7项所述之冷却方法,其中上述(a)之过程中,对于上述被处理基板吹喷冷却气体而冷却上述被处理基板者。9.一种冷却装置,主要系用于冷却被处理基板之冷却装置,具备有:(a)用于冷却上述被处理基板之冷却组,及(b)用于支撑搬入于上述冷却组前之被处理基板之支撑体,及(c)用于冷却支撑于上述支撑体之被处理基板之冷却机构为其特征者。10.如申请专利范围第9项所述之冷却装置,其中又具备对于被支撑于上述支撑体之被处理基板上吹喷离子化气体之离子化器者。11.如申请专利范围第10项所述之冷却装置,其中上述离子化器乃喷出被冷却之气体者。12.如申请专利范围第11项所述之冷却装置,其中上述气体乃情性气体。13.如申请专利范围第9项所述之冷却装置,其中上述冷却机构乃备有配置于上述支撑体内之冷却元件者。14.如申请专利范围第13项所述之冷却装置,其中上述冷却元件乃派耳帖(Peltier)元件者。15.如申请专利范围第9项所述之冷却装置,其中上述冷却机构乃具备有,配置于上述支撑体内之冷却元件,及设于上述支撑体内之配管,以及在上述配管内使冷却水循环之机构者。16.一种冷却装置,主要系用于冷却被处理基板之装置,具备:用于冷却上述被处理基板之冷却组,及将上述被处理基板搬入于上述冷却组之搬入机构,及用于冷却藉上述搬入机构所搬入之上述被处理基板之冷却机构者。17.如申请专利范围第16项所述之冷却装置,其中上述搬送机构乃备有:移动可能之基台,及设于上述基台上以资支撑上述基板之支撑体,上述冷却机构系备有对于由上述支撑体所支撑之上述被处理基板上吹喷气体之机构者。18.一种处理装置,主要系用于处理被处理基板之装置,具备:包括用于冷却上述被处理基板之冷却组之第1之处理组群,及包括对于上述被处理基板上实施规定之处理之处理组之第2处理组群,及设置于上述第1之处理组群与上述第2之处理组群之间,以资支撑上述被处理基板之支撑体,及用于冷却支撑于上述支撑体之上述被处理基板之冷却机构者其特征为。19.如申请专利范围第18项所述之处理装置,其中又具备:将上述被处理基板搬入于上述冷却组之搬入机构,及用于冷却由上述搬入机构所搬入上述被处理基板之冷却机构者。20.如申请专利范围第18项所述之处理装置,其中又具备对于由上述支撑体所支撑之被处理基板吹喷离子化气体之离子化器者。21.如申请专利范围第20项所述之处理装置,其中上述离子化器乃将吹喷被冷却之气体者。22.如申请专利范围第21项所述之处理装置,其中上述气体系惰性气体者。23.如申请专利范围第18项所述之处理装置,其中上述冷却机构乃备有配置于上述支撑体内之冷却元件者。24.如申请专利范围第23项所述之处理装置,其中上述冷却元件系派耳帖元件者。25.如申请专利范围第18项所述之处理装置,其中上述冷却机构乃具备:配置于上述支撑体内之冷却元件,及设置于上述支撑体内之配管,及在于上述配管内而使冷却水循环之机构者。图式简单说明:第一图乃本发明一实施形态之涂布显像装置之斜视图。第二图乃第1之平面图。第三图乃第一图所示之中继部之斜视图。第四图乃第三图之纵剖面图。第五图乃第一图所示之主臂之斜视图。第六图乃第五图之侧面图。第七图乃主臂之其他实施形态之侧面图。第八图乃主臂之其他实施形态之侧面图。第九图乃主臂之其他实施形态之侧面图。第十图乃说明冷却组之冷却板之一例之图。 |
