| 主权项 |
1.一种合成光学装置,包含:一支撑体,至少具有一第一光检测装置,一第二光检测装置,一第一电流-电压转换放大器连接于该第一光检测装置之一输出端,以及一第二电流-电压转换放大器连接于该第二光检测装置之输出端;一发光装置,形成于该支撑体之上;以及一棱镜,形成于该支撑体上而在该第一光检测装置与该第二光检测装置之上方,其中:一透过该棱镜之预定入射表面而进入该棱镜中之光束被双分叉且导引到该第一光检测装置与该第二光检测装置之上;以及一导引到该第一光检测装置上之入射光量与导引到该第二光检测装置上之入射光量间之差异系藉由调整该第一电流-电压转换放大器之增益与该第二电流-电压转换放大器之增益间之差异来修正。2.如申请专利范围第1项之合成光学装置,其中该第一电流-电压转换放大器之增益与该第二电流-电压转换放大器之增益间之差异系藉由调整该第一电流-电压转换放大器中之阻値与/或该第二电流-电压转换放大器中之阻値而确定。3.如申请专利范围第1项之合成光学装置,其中一个半镜面系形成于该棱镜底部表面之整个区域上。4.如申请专利范围第1项之合成光学装置,其中一个半镜面系形成于该支撑体之整个表面上。5.如申请专利范围第1项之合成光学装置,其中形成于该支撑体整个表面之一隔离膜,以及在该隔离膜与该支撑体间之介面构成一个半镜面。6.如申请专利范围第1项之合成光学装置,其中该支撑体系一半导体基板。7.如申请专利范围第6项之合成光学装置,其中该支撑体系一矽基板。8.如申请专利范围第3项之合成光学装置,其中该半镜面系由一电介质多层膜所构成。9.如申请专利范围第4项之合成光学装置,其中该半镜面系由一形成于该支撑体上之氮化矽膜以及一形成于该氮化矽膜上之二氧化矽膜所构成。10.如申请专利范围第5项之合成光学装置,其中该隔离膜系一二氧化矽膜。11.如申请专利范围第1项之合成光学装置,其中该第一光检测装置以及该第二光检测装置系一种多分段形式。12.如申请专利范围第1项之合成光学装置,其中该第一光检测装置以及该第二光检测装置系一种四分段形式。图式简单说明:第一图系示出一习知雷射耦合器之透视图;第二图系示出该习知雷射耦合器之截面图;第三图系示出该习知雷射耦合器之片断放大图;第四图系示出该习知雷射耦合器之光二极体IC中光二极体之平面图;第五图系示出封装于一扁平封装内之该习知雷射耦合器之透视图;第六图系图示说明一使用为CD唱盘光学拾波器之雷射耦合器;第七图系示出另一习知雷射耦合器之片断放大截面图;第八图系示出根据本发明第一实施例之雷射耦合器之截面图;第九图系示出根据本发明第一实施例之雷射耦合器之片断放大截面图;第十图系一方块图,示出根据本发明第一实施例之雷射耦合器之光二极体IC;第十一图系一电路图,示出根据本发明第一实施例之雷射耦合器之光二极体IC中之I-V转换放大器电路以及一加法放大器电路;第十二图系示出根据本发明第二实施例之雷射耦合器之放大截面图;第十三图系示出根据本发明第三实施例之雷射耦合器之放大截面图。 |
