| 主权项 |
1.一种抛光一半导体晶圆之方法,该方法包含下列步骤:在抛光块(14)上配置晶圆(12)之第一面(22),连接抛光块至晶圆抛光器(16),使得晶圆之第二面(24)曝露至晶圆抛光器之抛光垫(19)处,以抛光晶圆之第二面,使用晶圆抛光器之抛光垫抛光晶圆曝露之第二面,该方法之特征为在抛光后,抛光块及晶圆系以一单元方式传送至一清洁及乾燥站(10),且使吾人可接近第二面以加以清洁,在第一选择时间中,清洁液体送至晶圆曝露之第二面,以清洁晶圆之第二面,在第二时间中转动抛光块及晶圆单元,其速率之选择在于能将液体抛离晶圆之第二面,以使该晶圆乾燥。2.根据申请专利范围第1项之方法,其特征为当清洁液体送至晶圆(12)之第二面(24)时,转动抛光块及晶圆单元(15)。3.根据申请专利范围第2项之方法,其特征为在清洁流体以低于所选择之速率向晶圆之第二面(24)传送期间,转动晶圆(12),以使该晶圆乾燥。4.根据申请专利范围第1项之方法,其特征为由一预先程式化之电子控制电路控制第一及第二转动率。5.根据申请专利范围第1项之方法,其特征为在清洁液体传送期间,所选择之单元(15)转动率介于每分钟100至300转之间。6.根据申请专利范围第5项之方法,其特征为在清洁液体传送期间,所选择之单元(15)转动率约为每分钟200转。7.根据申请专利范围第1项之方法,其特征为用于乾燥晶圆所选择单元(15)之转动率介于每分钟900至1200转之间。8.根据申请专利范围第7项之方法,其特征为单元(15)之第二转动率约每分钟1000转。9.根据申请专利范围第1项之方法,其特征为所选择之第二时间介于60至90秒之间。10.一种用于清洁及乾燥一半导体晶圆(12)之装置,其包含装配在一抛光块(14)上之第一面(22),可使晶圆及抛光块形成一单元(15),及在一晶圆抛光器上之晶圆第二面中抛光后的第二曝露面(24),装置(10)包含一外壳(26),一用于装配抛光块及晶圆单元之稻子28,一连接搯子之锤(30),且支撑在外壳上,以使其绕锤之纵轴线转动,用于驱动锤转动之机构,在搯子中视需要传送清洁流体至抛光块及晶圆单元之液体输送管路(34),该装置之特征为其中该搯子可应用一般为面向上之晶圆第二面抓住抛光块,而夹持抛光块及晶圆单元,以随搯子转动,外壳包含一底部(36),其含一可令抛光块及晶圆单元通过之开口顶,以装配在搯子上,及一盖子(40)枢配在底部上,可再关位置及开位置间转动,在关位置上盖子关闭底部之开口顶,以在外壳内侧维持传送至晶体之液体,在开位置上,转离盖子,以曝露底部之开口顶,液体输送管路系装配在盖子上,以与其一起移动,可使得正常时液体输送管路在盖子关闭位置处可置于液体之中心上方,本发明更包含下列特征:该装置包含致动机构(138),可自动打开及关闭该盖子。图式简单说明:第一图为本发明之清洁及乾燥装置之右侧正视图,其示该装置之上部位的截面;第二图为第一图之清洁及乾燥装置之顶面图;第三图为第一图之清洁及乾燥装置的搯子之放大顶面图;第四图为第一图之清洁及乾燥装置的背部侧视图,其中一部位切开,以示内部结构;第五图为分部部位截面图,此显示沿第三图之线5-5的平面;第六图为一晶圆抛光器的顶面图。 |
