| 主权项 |
1.一种形成具增加锁定免疫之半导体装置之方法,该方法包含以下步骤:a)提供一半导体底材;b)在该半导体底材中形成至少一井边缘植入物;及c)在具边缘之该半导体装置中形成一井区域,该边缘与该至少一井边缘植入物对正。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该井边缘植入物包含P+型植入物,而其中该井区域包含一P型井区域。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该井边缘植入物包含P+型植入物,而其中该井区域包含一N型井区域。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该井边缘植入物包含N+型植入物,而其中该井区域包含一N型井区域。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中该井边缘植入物包含N+型植入物,而其中该井区域包含一P型井区域。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中形成一井边缘植入物之步骤包含以下步骤:1)沈积混合阻层;2)透过包含多个形状之罩幕而曝光该混合阻层;及3)显影该混合阻层以去除曝光于中灵敏曝光量之该混合阻层部分,在该混合阻层中形成多个井边缘空间。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中形成该井区域之步骤包含毯覆性曝光与显影该混合阻层,该毯覆性曝光与显影在该井区域上之该混合阻层中形成一开孔,而其中透过该井开孔而植入一井掺杂剂。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中至少一井边缘植入物系形成于浅凹沟隔离下。9.一种形成具增加锁定免疫之半导体装置之方法,该方法包含以下步骤:a)提供一半导体底材;b)在该半导体底材上沈积混合阻层;c)透过包含多个形状之罩幕而曝光该混合阻层,其中该罩幕形状阻止之该混合阻层部分未曝光,该罩幕形状未阻止之该混合阻层部分则完全曝光,并以中灵敏曝光来曝光罩幕形状边缘下混合阻层之转换区域;d)显影该混合阻层以去除曝光于中灵敏曝光量之该混合阻层部分,在该混合阻层中形成多个井边缘空间;e)透过该多个井边空间而在该半导体底材中形成多个井边缘植入物;f)毯覆性曝光该混合阻层;g)显影该混合阻层,其中该显影该混合阻层在该混合阻层中开启至少一井空间;及h)透过该混合阻层中该至少一井空间而在该半导体底材中形成至少一井区域。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中该多个井边缘植入物之至少一者包含P+型植入物,而其中该至少一井区域包含一P型井区域。11.根据申请专利范围第9项之方法,其中该多个井边缘植入物之至少一者包含P+型植入物,而其中该至少一井区域包含一N型井区域。12.根据申请专利范围第9项之方法,其中该多个井边缘植入物之至少一者包含N+型植入物,而其中该至少一井区域包含一N型井区域。13.根据申请专利范围第9项之方法,其中该多个井边缘植入物之至少一者包含N+型植入物,而其中该至少一井区域包含一P型井区域。14.根据申请专利范围第9项之方法,其中该多个井边缘植入物之至少一者形成于一浅凹沟隔离之下。15.一种半导体结构:1)在该半导体底材中形成一井区域;及2)一井边缘植入物,该井边缘植入物形成于该半导体底材中该井区域之边缘。16.根据申请专利范围第15项之结构,其中该该井边缘植入物包含P+型植入物,而其中该井区域包含一P型井区域。17.根据申请专利范围第15项之结构,其中该井边缘植入物包含P+型植入物,而其中该井区域包含一N型井区域。18.根据申请专利范围第15项之结构,其中该井边缘植入物包含N+型植入物,而其中该井区域包含一N型井区域。19.根据申请专利范围第15项之方法,其中该井边缘植入物包含N+型植入物,而其中该井区域包含一P型井区域。20.根据申请专利范围第15项之结构,其中该井边缘植入物形成于一浅凹沟隔离下。图式简单说明:第一图是混合阻层使用的示意图;第二图是各种曝光能量下线宽(以毫微米nm为单位)与标准负阻层设计的聚焦(以微米um为单位)的图形;第三图是各种曝光能量下混合样式的负调线的线宽(以nm为单位)与本发明混合阻层(以um为单位)的图形;第四图是线宽(以um为单位)与本发明混合阻层中实施的正调溶解抑制剂(MOP)量的图形;第五图是使用标准阻层设计与本发明的混合阻层设计时已知线宽的聚焦范围的比较模型;第六图的图形是使用本发明混合阻层设计时,以溶解率(以每秒多少毫微米nm/sec为单位)作为曝光剂量(以毫焦耳mJ为单位)函数;第七图的图形是使用本发明混合阻层设计时,以最后线宽与空间宽为铬空间的函数;第八图的图形显示另一混合阻层设计的溶解率(以nm/sec为单位)作为曝光剂量(以mJ为单位)函数;第九图的图形是使用本发明混合阻层设计时,以空间宽变化(以um为单位)作为MOP负载函数;第十图是本发明混合阻层设计的响应图,其中曝光(负)线,未曝光(正)线宽与空间宽是曝光剂量的函数;第十一图是表示根据本发明的制造方法的示意流程图;第十二图是其中形成浅凹沟隔离的晶圆部分的剖面图;第十三图是覆以混合阻层与罩幕的晶圆部分的剖面图,用以打样N井边缘植入物形成与N井形成的阻层;第十四图是形成有N井边缘植入物的晶圆部分的剖面图;第十五图是形成有N井边缘植入物与N井的晶圆部分的剖面图;第十六图是覆以混合阻层与罩幕的晶圆部分的剖面图,用以打样P井边缘植入物形成与P井形成的阻层;第十七图是有P井边缘植入物的晶圆部分的剖面图;第十八图形成有P井边缘植入物与P井的晶圆部分的剖面图;第十九图是形成有接触扩散区域的晶圆部分的剖面图;第二十图是根据第二具体实例而覆以N井边缘植入物形成与N井形成的混合阻层的晶圆部分剖面图,其中N井边缘植入物包含P型植入物;第二十一图是根据第二具体实例而形成有N井的晶圆部分的剖面图;第二十二图是根据第二具体实例而覆以P井边缘植入物形成与P井形成的混合阻层的晶圆部分剖面图,其中P井边缘植入物包含n型植入物;第二十三图是根据第二具体实例而形成有N井与P井的晶圆部分的剖面图;第二十四图的图形显示随着曝光剂量的增加,正阻层如何增加溶解度;第二十五图的图形显示印有线网线样式的正阻层的线样式;第二十六图的图形显示随着曝光剂量的增加,负阻层系统曝光区域如何降低溶解度;第二十七图的图形显示印有线网线样式的负阻层的线样式;第二十八图是阻层溶解度为混合阻层的曝光剂量函数的图形;第二十九图的图形说明使用混合阻层而形成在底材中的空间/线/空间样式;及第三十图是习用CMOS晶圆部分的剖面图。 |
