| 主权项 |
1.一种基板温度控制装置,其特征为具备有:具有复数突起部于表面之用以基板温度设定用之温度控制体;及令前述基板朝着该温度控制体方向予以吸着而使前述基板接触于前述复数突起来加以固定用之吸着机构。2.如申请专利范围第1项所记载之基板温度控制装置,其中前述温度控制体为加热前述基板用之加热体。3.如申请专利范围第1项所记载之基板温度控制装置,其中前述温度控制体为冷却前述基板用之冷却体。4.如申请专利范围第1项所记载之基板温度控制装置,其中前述吸着机构系用以吸引由前述基板和前述温度控制体所包围之空间成负压用之真空吸着机构,而前述温度控制体,在其表面更具备用以包围前述复数之突起部来成真空封闭用之外周部,至于前述真空吸着机构乃用以令前述基板接触于前述外周部来保持负压用者。5.如申请专利范围第1项所记载之基板温度控制装置,其中前述吸着机构乃利用以施加电压于前述基板和前述温度控制体内所配设之电极之间之所产生之静电力的静电吸着机构。6.如申请专利范围第1项所记载之基板温度控制装置,其中在与前述基板表面成对向之位置,以隔着空间来设置辅助温度控制体,而该辅助温度控制体具有覆盖前述基板之面,且具备与前述温度控制体概略相等之温度者。7.如申请专利范围第6项所记载之基板温度控制装置,其中前述辅助温度控制体系具备超过前述温度控制体之热容量者。8.如申请专利范围第4项所记载之基板温度控制装置,其中前述真空吸着机构乃具备有保持由前述基板和前述温度控制体所包围之空间的压力成为一定用之压力调整机构。9.如申请专利范围第8项所记载之基板温度控制装置,其中由前述基板和前述温度控制体所包围之空间的压力乃保持于700Torr至10Torr之间所定値。10.如申请专利范围第1或4项所记载之基板温度控制装置,其中以吸着固定前述基板于前述温度控制体之状态下,前述温度控制体对于前述基板之接触面积乃在于基板面积之60%至0.5%之范围。11.如申请专利范围第10项所记载之基板温度控制装置,其中以吸着固定前述基板于前述温度控制体之状态下,前述温度控制体对于前述基板之接触面积乃在于基板面积之50%至20%之范围。12.如申请专利范围第10项所记载之基板温度控制装置,其中前述突起部高度于1mm至1m之范围。13.如申请专利范围第4项所记载之基板温度控制装置,其中前述外周部乃形成复数之同心圆状所形成。14.如申请专利范围第6项所记载之基板温度控制装置,其中具备有要遮住被包围于前述温度控制体和前述辅助温度控制体空间之侧面用之挡门。15.如申请专利范围第10项所记载之基板温度控制装置,其中前述突起部系以一定间隔来被配置于前述温度控制体表面之所定范围。16.如申请专利范围第1项所记载之基板温度控制装置,其中前述温度控制体系由涂布聚四氟乙烯树脂于表面之金属所形成。17.如申请专利范围第5项所记载之基板温度控制装置,其中前述温度控制体系由从碳化矽、氧化铝及氮化铝所形成之群中所选择之绝缘材料所形成。18.一种基板温度控制方法,主要使用请求项4所记载之基板温度控制装置,其特征为:在前述真空吸着机构开始吸引之后,方予以固定前述基板于前述突起部上。19.一种基板温度控制方法,主要使用请求项5所记载之基板温度控制装置,其特征为:在施加电压于前述静电吸着机构之前述电极之后,方固定前述基板于突起部上。20.一种基板温度控制方法,主要由涂布抗蚀剂于前述基板之过程,及以使用前述吸着机构来固定涂布有该抗蚀剂之前述基板于前述突起部之后,方对于前述基板执行温度控制之过程之所形成,其特征为:将前述温度控制做为要执行之过程来采用,并对于该过程将使用请求项10所记载之基板温度控制装置。21.一种基板温度控制方法,主要由涂布化学放大型抗蚀剂于前述基板之过程,和选择紫外线、电子束及X(光)线中之任何一种来曝光前述基板上之化学放大型抗蚀剂之过程,及由前述吸着机构来固定曝光后之前述基板于前述突起部上之后,方执行对于前述基板之温度控制,所形成者,其特征为:将前述温度控制做为执行过程来采用,并对于该过程,将使用请求项10所记载之基板温度控制装置。22.如申请专利范围第10项所记载之基板温度控制装置,其中至少具有处理一个之半导体晶圆用之处理室,且在该处理室中具备有基板温度控制装置所形成之半导体处理装置中,将该基板温度控制装置做为进行温度控制来被使用并将进行温度控制之基板为半导体晶圆。23.如申请专利范围第10项所记载之基板温度控制装置,其中基板温度控制装置与紫外线曝光装置、电子束描画装置及X光(线)曝光装置之任一装置予以形成一体化所形成之半导体处理装置中,将该基板温度控制装置做为进行温度控制来被使用,且要进行温度控制之前述基板为涂布有抗蚀剂之半导体晶圆。24.一种基板温度控制方法,主要由要涂布抗蚀剂于该半导体晶圆之过程,和选择紫外线、电子束及X光(线)中之任何之一,以对于半导体晶圆上之抗蚀剂进行曝光及描画之任何一种的过程,及要执行在曝光及描画之任一之后的半导体晶圆之曝光后之烘乾的过程所形成之半导体处理方法,其特征为:将采用曝光后之烘乾做为要执行之过程,而对于该过程将使用请求项10所记载之基板温度控制装置,且要进行温度控制之基板为所述半导体晶圆。图式简单说明:第一图系用以说明有关本发明之基板温度控制装置之第1实施例用剖面图。第二图系显示用以说明第1实施例之具备突起部的加热体用以之斜视剖面图。第三图系说明第1实施例之效果之曲线图。第四图系说明第2实施例用之斜视剖面图。第五图系说明第3实施例用之剖面图。第六图系说明第4实施例用之剖面图。第七图系说明第5实施例用之剖面图。第八图A系说明本发明之第6实施例用之第1剖面图。第八图B系说明本发明之第6实施例用之第2剖面图。第八图C系说明本发明之第6实施例用之第3剖面图。第八图D系说明本发明之第6实施例用之第4剖面图。第九图A系说明本发明之第7实施例用之第1剖面图。第九图B系说明本发明之第7实施例用之第2剖面图。第九图C系说明本发明之第7实施例用之第3剖面图。第九图D系说明本发明之第7实施例用之第4剖面图。第十图系说明本发明之第8实施例用之剖面图。第十一图系说明本发明之第9实施例用之斜视图。第十二图系说明本发明之第10实施例用之过程流程图。第十三图系说明习知之基板加热装置图之剖面图。 |
