| 发明名称 | 具有动态阈值电压的晶体管电路 | ||
| 摘要 | 介绍了一种动态阈值的场效应晶体管，包括连接在晶体管的输入节点和体区之间的电阻。通过包括这种电阻，DTFET可以在体材料技术中实现，并可以利用大于0.5伏的电源电压。电阻可以集成在晶体管内，或可以作为与晶体管分离的分立元件存在。 | ||
| 申请公布号 | CN1238532A | 申请公布日期 | 1999.12.15 |
| 申请号 | CN99100907.X | 申请日期 | 1999.01.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | E·J·诺瓦克;R·D·罗斯;M·H·汤 |
| 分类号 | G11C19/28;H01L27/115 | 主分类号 | G11C19/28 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王忠忠 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，包括：衬底；形成在衬底内的晶体管，其中所述晶体管包括连接到栅极的输入节点、输出节点和体区；以及动态控制所述晶体管阈值电平的电路，其中所述电路包括连接到晶体管的输入节点和体区的电阻。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||