线上即时监测半导体金属线宽的方法

摘要

一种线上即时监测半导体金属线宽的方法：本发明之重点在于进行积体电路（IC）晶粒（die）之电路布局设计时，多层金属结构各层次除了按照原本设计准则所规划的方式之外，额外在晶粒的特定位置上设计与多层金属结构一样的测试图案，所述测试图案能够使晶圆表面不同高度的层次在不同的位置显现出来，其作用类似一般的临界尺寸观测图案（CD bar），而达到线上即时监测的功效，在不正常蚀刻发生的同时，就能及时侦测出这些有缺陷的晶圆，进而适当的弥补和调整蚀刻参数，大幅增加生产线的效率。

主权项

1.一种线上即时监测半导体金属线宽的方法,系包含下列步骤:布局设计一多层金属结构,并额外在晶粒的特定位置上设计与多层金属结构一样的监测图案;在微影步骤后,对该测试图案进行第一次监测;在蚀刻步骤后,对该测试图案进行第二次监测。2.如申请专利范围第1项所述之线上即时监测半导体金属线宽的方法,其中所述多层金属结构是双层金属结构。3.如申请专利范围第1项所述之线上即时监测半导体金属线宽的方法,其中所述多层金属结构是三层以上金属结构。4.如申请专利范围第1项所述之线上即时监测半导体金属线宽的方法,其中所述特定位置是切割道。5.如申请专利范围第1项所述之线上即时监测半导体金属线宽的方法,其中所述特定位置是细胞框。6.一种线上即时监测半导体多层金属结构金属线宽的监测图案,系包含:一复晶矽层于一晶圆表面;一复晶矽层间介电层于所述复晶矽层表面;一多层金属结构于所述复晶矽层间介电层表面,所述多层金属结构至少包含两金属层并在每层金属层之间有一金属层间介电层;所述复晶矽层、复晶矽层间介电层和多层金属结构之最上层金属必须有一部份在所述监测图案中裸露出来以供监测。7.如申请专利范围第6项所述之线上即时监测半导体多层金属结构金属线宽的监测图案,其中所述复晶矽层间介电层是选自氧化矽和氮化矽之一。8.如申请专利范围第6项所述之线上即时监测半导体多层金属结构金属线宽的监测图案,其中所述金属层是铝矽铜(AlSiCu)合金。9.如申请专利范围第6项所述之线上即时监测半导体多层金属结构金属线宽的监测图案,其中所述金属层系包含铝矽铜(AlSiCu)合金和阻障层。10.如申请专利范围第6项所述之线上即时监测半导体多层金属结构金属线宽的监测图案,其中所述金属层的厚度系介于3000到9000埃之间。11.如申请专利范围第6项所述之线上即时监测半导体多层金属结构金属线宽的监测图案,其中所述金属层间介电层是氧化矽。12.如申请专利范围第6项所述之线上即时监测半导体多层金属结构金属线宽的监测图案,其中所述金属层间介电层的厚度系介于3000到9000埃之间。图式简单说明:第一图为本发明实施例监测图案在晶圆表面布局位置之示意图。第二图为本发明实施例多层金属结构监测图案之剖面图。