半导体装置

摘要

一种半导体装置包含一载体，在载体上备有至少一个半导体组件及一多层之金属镀层于半导体组件及载体之间，其中铝，金或金合金之第一金属层备于半导体组件之表面上，第二金属钛层备于第一金属层上，第三金属镍层备于第二金属层上，二元或三元金-锗合金之第四金属层备于第三金属层上，其在低欧姆接触及极为耐用及在温度负荷下极为显着。

主权项

1.一种半导体装置,包含一载体,其上至少一个半导体组件,以及在半导体组件及载体间之金属镀层,其中铝,金,或金合金之第一金属层备于半导体组件之表面上,第二金属钛层备于第一金属层上,第三金属镍层备于第二金属层之上,二元或三元之金-锗合金之第四金属层备于第三金属层上。2.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其特征为半导体组件为PNP电晶体,其第一金属层由金制成。3.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其特征为半导体组件为NPN电晶体或一PN二极体,第一金属层含有金-砷合金。4.根据申请专利范围第1至3项之任一项半导体装置,其特征为在半导体装置之第一金属层之厚度为0.1-0.5m,第二金属层之厚度为0.05-0.3m,第三金属层之厚度为自0.05-0.5m,第四金属层之厚度为自0.5至5m。图式简单说明:第一图为本发明之半导体装置之剖面图。