| 主权项 |
1.一种积体电路之电容制造方法,形成于半导体基板上其步骤包含:形成第一复晶矽层;沈积及定义光阻层图案于该第一复晶矽层之上;利用单一蚀刻步骤蚀刻该光阻层与该第一复晶矽层;形成介电层于该第一复晶矽层之表面;及形成第二复晶矽层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中沈积上述之第一复晶矽层之前更包含:形成绝缘层于基板上;蚀刻绝缘层用以制作接触窗。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之第一复晶层形成于上述之绝缘层之上,该第一复晶层经由上述之接触窗与基板连结。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一复晶层以化学气相沈积,该第一复晶层之厚度为2000埃至10000埃之间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之单一蚀刻步骤为乾蚀刻,该乾蚀刻步骤包含:主要蚀刻;及过度蚀刻。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述之过度蚀刻程度为上述之主要蚀刻程度之百分之五十至五百。7.申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之主要蚀刻过程为达至第一复晶层底部为止。8.申请专利范围第7项所述之方法,其中上述之主要蚀刻过程中将于第一复晶矽层之侧壁形成高分子(polymer),该高分子将作为罩幕利于该第一复晶矽层形成凹槽形状,该凹槽形状之第一复晶层将作为电容之底层电极。9.如申请专利范围第5项之方法,其中在上述之过度蚀刻过程中将蚀刻上述之第一复晶矽层;该第一复晶矽层内侧侧壁上形成蚀刻副产物;及该蚀刻副产物将作为罩幕利于该第一复晶矽层形成凹槽形状,该凹槽形状之第一复晶层将作为电容之底层电极。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之作为底层电极之该凹槽形状之该第一复晶层内具有柱状体复晶矽柱,该柱状体复晶矽柱可增加电容之表面积。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之蚀刻步骤可使用电子回旋共振电浆蚀刻(eiectron cyclotron resonance;ECR)、活性离子蚀刻、电浆蚀刻。12.一种电容器之结构,包含:第一复晶矽,该复晶矽为一凹槽形状,将作为该电容之底层电极;柱状体,位于该凹槽内,该柱状体以复晶矽组成;介电层,沈积于该第一复晶矽及该柱状体之表面;第二复晶矽,沈积于该介电层之表面且将填满整个凹槽,将作为该电容之上层电极。13.如申请专利范围第12项所述之结构,其中上述之柱状体为随机分布于上述之凹槽内。14.一种柱状体复晶矽柱之形成方法,其步骤包含:沈积复晶矽层;定义光阻层图案及沈积该光阻层于该复晶矽层之上;利用单一蚀刻步骤蚀刻该光阻层与该复晶矽层;形成高分子与蚀刻副产物;以该高分子与该蚀刻副产物为罩幕形成凹槽复晶矽与柱状体复晶矽柱。15.如申请专利范围第14项之方法,其中上述之蚀刻过程步骤包含:主要蚀刻,该主要蚀刻过程为达至复晶层表面为止,该主要蚀刻过程中将于复晶矽层之侧壁形成高分子(polymer);过度蚀刻,该过度蚀刻过程中将蚀刻该复晶矽层并于该复晶矽层内侧侧壁上形成蚀刻副产物及于该复晶矽层上形成柱状体复晶矽柱;及以该蚀刻副产物与该高分子作为罩幕利于该复晶矽层形成凹槽形状及柱状体复晶矽柱。图式简单说明:第一图至第七图为本发明之制程方法步骤之截面图。 |
