| 发明名称 | 半导体衬底及半导体衬底的制造方法 | ||
| 摘要 | 制备其表面层在含氢气的还原气氛中已热处理的单晶硅衬底;通过注入氧离子形成离子注入层;随后,利用离子注入层通过热处理形成埋入的氧化膜(BOX)层。由此得到具有在BOX层上形成且如COP等的缺陷数量显著减少的单晶硅层(SOI层)的SOI衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN1241016A | 申请公布日期 | 2000.01.12 |
| 申请号 | CN99111074.9 | 申请日期 | 1999.06.18 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 坂口清文;佐藤信彦 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体衬底的制造方法，包括以下步骤：制备氢气退火的单晶硅衬底；通过将离子注入到所述单晶硅衬底内形成离子注入层；以及在所述单晶硅衬底内形成埋入的绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||