| 主权项 |
1.一种光罩之近接效应修正方法,该近接效应修正方法包括下列步骤:提供一图形,该图形欲形成于一光罩上;将该光罩分割成复数个区块;依每个该区块内的图形密度及光线明暗计算电子束的曝光量,用以修正电子束近接效应和光学近接效应,得到一修正图形;以及依据该修正图形,进行电子束曝光以形成一光罩。2.如申请专利范围第1项所述光罩之近接效应修正方法,其中该区块内的图形密度的范围大约在0%-100%左右。3.如申请专利范围第1项所述光罩之近接效应修正方法,其中该区块内的光线明暗的范围大约在0%-100%左右。4.一种光罩之近接效应修正方法,该近接效应修正方法包括下列步骤:提供一图形,该图形欲形成于一光罩上;将该光罩分割成复数个第一区块与复数个第二区块,其中该些第一区块为有该些图形的分布,而该第二区块无该些图形的分布;依每个该些第一区块与该些第二区块内的图形密度及光线明暗计算电子束的曝光量,用以修正电子束近接效应和光学近接效应,得到一修正图形;以及依据该修正图形,进行电子束曝光以形成一光罩。5.如申请专利范围第4项所述光罩之近接效应修正方法,其中该第一区块的图形密度的范围大约在0%以上与100%以下之范围中。6.如申请专利范围第4项所述光罩之近接效应修正方法,其中该第一区块的光线明暗的范围大约在0%以上与100%以下之范围中。7.如申请专利范围第4项所述光罩之近接效应修正方法,其中该第二区块的光线明暗的范围大约在0%以上与100%以下之范围中。图式简单说明:第一图a至第一图e所示为习知方法在微影制程时进行图案转移所容易产生之图案不完全转移之图示;以及第二图a至第二图b所示为使用本发明之近接效应修正方法以制作光罩之图示。 |
