| 主权项 |
1.一种挡片的制造方法,包括:提供一晶片;形成一罩幕层,该罩幕层定义出复数个开口以暴露出部份该晶片的表面;形成一场氧化层;以及剥除该场氧化层和该罩幕层,使该晶片具有一粗糙之表面,该晶片做为该挡片之用。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该罩幕层的材质包括氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该场氧化层的形成方法,系利用湿式氧化法。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中剥除该场氧化层和该罩幕层的方法,包括利用一HF蚀刻剂进行剥除。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该HF蚀刻剂的浓度约为40-60%。6.一种挡片的制造方法,包括:提供一晶片;形成一罩幕层,该罩幕层暴露出欲形成场氧化层的区域;形成一场氧化层;以及剥除该场氧化层和该罩幕层,以暴露出该晶片的表面;形成一半球形矽晶粒层覆盖该晶片;以及进行一蚀刻制程,使该晶片具有一粗糙之表面,该晶片做为该挡片之用。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该罩幕层的材质包括氮化矽。8.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该场氧化层的形成方法,系利用湿式氧化法。9.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中剥除该场氧化层和该罩幕层的方法,包括利用一HF蚀刻剂进行剥除。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该HF蚀刻剂的浓度约为40-60%。11.一种挡片应用于薄膜化学气相沈积的方法,适用于一化学气相沈积反应器,该反应器有一反应室,该反应室内之一晶舟上具有复数个晶座,该方法包括下列步骤:将欲进行沈积该薄膜之复数个晶片置于一部分的该些晶座上;于另一部份的该些晶座上,置放如申请专利范围第1项所述之该些挡片,该些挡片具有粗糙表面;以及进行一化学气相沈积制程,以形成该薄膜。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该薄膜包括一薄氮化矽层。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该化学气相沈积法包括低压化学气相沈积法。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该挡片之重覆利用的方法,包括利用一HF蚀刻剂将该挡片上方所沈积之薄膜进行剥除。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该HF蚀刻剂的浓度约为40-60%。图式简单说明:第一图系绘示一种炉管式LPCVD反应器;以及第二图A至第二图E系绘示根据本发明较佳实施例之一种挡片的制造方法。 |
