| 主权项 |
1.一种绝缘沟制造方法,该方法包括下列步骤:a)在矽基底上形成一止抛磨层(polish stopping layer);b)制作该止抛磨层的图案(patterning);c)于该基底被该止抛磨层图案曝光之处形成沟;d)在该基底上利用感应耦合高密度电浆沈积绝缘物质,该绝缘物质填充该沟;以及e)以化学机械法抛磨该基底至该止抛磨层。图式简单说明:第一图a-f侧视截面图,用以显示第一种绝缘沟法的较佳具体实例。第二图显示高密度电浆反应器。第三图a-f显示绝缘沟法之习知技术的侧视截面图。第四图显示沈积与溅散率。第五图说明用于CMOS结构之绝缘的较佳具体实例侧视截面图。 |
