| 主权项 |
1.一种整体性环氧化方法,包含}(a)于液相中使 C3-C4二级醇与分子氧反应形成含 C3-C4二级醇,对应于 C3-C4二级醇之 C3-C4脂族酮,及过氧化氢之氧化剂混合物;(b)从氧化剂混合物分离出实质上所有之 C3-C4酮以提供浓缩之含过氧化氢流,其包含 C3-C4二级醇,过氧化氢,及少于1重量百分比之 C3-C4酮;(c)于钛矽质岩触媒及稀释剂存在下使浓缩之含过氧化氢流与 C2-C4烯烃反应形成含对应C2-C4烯烃之C2-C4环氧化物,水及 C3-C4二级醇之环氧化反应混合物;(d)从环氧化反应混合物分离出实质所有之 C2-C4环氧化物以形成粗醇流,其包含水,C3-C4二级醇,及少于1重量百分比之 C2-C4环氧化物;及(e)再循环至少一部分之粗醇流用作步骤(c)中稀释剂之至少一部分。2.如申请专利范围第1项之整体性环氧化方法,其中由步骤(b)氧化剂混合物分离出之 C3-C4酮进一步被氢化为C3-C4二级醇。3.如申请专利范围第2项之整体性环氧化方法,其中氢化于 20 至 175℃之温度,0.5 至 100 大气压之氢气压力下,氢化触媒之存在下进行,该触媒包含选自钯,铂,钌,铬,铑及镍之过渡金属。4.如申请专利范围第1项之整体性环氧化方法,其中 C2-C4烯烃为丙烯。5.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中步骤(c)中丙烯:过氧化氢之莫耳比例为1:2至10:1。6.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中较过氧化氢过量之丙烯存在于步骤(c)中及过量丙烯自步骤(c)之后及步骤(b)之前之环氧化反应混合物分离出。7.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中 C3-C4二级醇为异丙醇。8.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中浓缩之含过氧化氢流包含5至30重量百分比之过氧化氢。9.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中稀释剂存在量足以提供少于10重量百分比之过氧化氢浓度,其系以步骤(c)中浓缩之含过氧化氢流及稀释剂之总重量计。10.如申请专利范围第9项之整体性环氧化方法,其中稀释剂存在量足以提供步骤(c)中过氧化氢浓度至少于10重量百分比,其系以浓缩之含过氧化氢流及稀释剂之总重量计。11.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中钛矽质岩具 MFI,MEL,或沸石贝它拓扑学 (zeolite betatopology)。12.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中钛矽质岩具对应下列化学式之组成:xTiO2:(1-x)SiO2,式中 x为0.01至0.125。13.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中钛矽质岩以固定床之形式舖设。14.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中钛矽质岩与载体并用。15.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中分离步骤(b)经蒸馏完成,因而实质上所有之 C3-C4酮自氧化剂混合物中呈塔顶流被蒸发及去除。16.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中(a)在自 50℃至 200℃之温度下进行。17.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其中步骤(c)在自 25℃至 120℃之温度下进行。18.如申请专利范围第4项之整体性环氧化方法,其步骤(a)在自5至 50psia 之氧分压下进行。19.如申请专利范围第1至18项中任一项之整体性环氧化方法,包含(a)于液相中,自 50℃至 200℃之温度下使异丙醇与分子氧反应形成包含异丙醇,丙酮,及过氧化氢之氧化剂混合物;(b)将氧化剂混合物蒸馏,因而实质上所有丙酮自氧化剂混合物中呈塔顶流被蒸发及去除,以提供浓缩之含过氧化氢流,及少于1重量百分比之丙酮;(c)在自 25℃至 120℃之温度下,钛矽质岩触媒与稀释剂之存在下使浓缩之含过氧化氢流与丙烯反应形成包含水,环氧丙烷及异丙醇之环氧化反应混合物;(d)经蒸馏自环氧化反应混合物分离出实质所有之环氧丙烷以形成底部物流,其包含水,异丙醇及少于1重量百分比之环氧丙烷;(e)再循环至少一部分之底部物流用作步骤(c)中稀释剂之至少一部分;(f)使分离自步骤(b)中氧化剂混合物之丙酮氢化为异丙醇;及(g)自步骤(f)再循环至少一部分之异丙醇用于步骤(a)中。第一图:说明本发明方法适富具体例之图式。 |
