具MIMS结构之电容

摘要

本发明包含形成一半导体材质于一基板之上，此半导体膜层具有一粗糙化之表面，接着，沈积高介电常数之介电层(high k dielectric layer)作为电容间之介电质，此高介电膜层为介于电容第二电极与电容第一电极之间，在制作介电层之前，可以先形成一具导电性之阻障层介于介电层与矽层之间，一导电层用来当作第二电极接着形成于上述之高介电常数膜层之上，另一例子包含沈积半导体膜层，沈积后具有一粗糙化之表面，一金属或合金层均匀地沈积于半导体膜层之上，使其亦具有起伏之表面以增加表面积，接着为沈积高介电常数之介电层，一导电层用来当作第二电极接着形成于上述之高介电常数膜层之上。

主权项

1.一种在一半导体基板上制作电容之方法,该方法至少含下列步骤:形成一具有粗糙表面之半导体膜层于一半导体基板之上;形成一阻障层于该粗糙表面之半导体膜层之上;形成一介电层于该半导体膜层之上;及形成一金属或合金层于该介电层之上,以形成金属/绝缘层/阻障层/半导体结构于该基板上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之半导体膜层包含矽组成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之阻障层系包含氮化矽组成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层系由下列材质TiO2.Ta2O5.BST、SET、PZT所组成之群集之一。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之金属或合金层系由下列材质Al、Cu、TiN、WNx、TaN、Ti、W、Pt或上述之合金所组成之群集之一。6.一种在一半导体基板上制作电容之方法,该方法至少包含下列步骤:形成一具有粗糙表面之半导体膜层于一半导体基板之上;形成第一金属或合金层于该半导体膜层之上;形成一介电层于该第一金属或合金层之上;及形成第二金属或合金层于该介电层之上,以形成金属/绝缘层/金属/半导体(MIMS)结构于该基板上。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之半导体膜层包含矽组成。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之介电层系由下列材质TiO2.Ta2O5.BST、SET、PZT所组成之群集之一。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之第一金属或合金层系由下列材质Al、Cu、TiN、WNx、TaN、Ti、W、Pt或上述之合金所组成之群集之一。10.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之第二金属或合金层系由下列材质Al、Cu、TiN、WNx、TaN、Ti、W、Pt或上述之合金所组成之群集之一。图式简单说明:第一图为本发明在基板上形成MIS结构的半导体基板剖面图;第二图为本发明在基板上形成MIM结构的半导体基板剖面图。