非易失性存储器

摘要

一种可按比例缩小的非易失性存储器包括由在三阱中形成的存储单元。选择晶体管可以有一个起横向双极晶体管发射极作用的源。横向双极晶体管作为电荷注入源工作。电荷注入源对浮栅提供衬底热电子注入以进行编程。单元耗尽/反型区可通过在所述读出晶体管源与沟之间的衬底之上形成作为控制栅的延伸部分的电容器来扩展。

主权项

1.一种电可擦除和可编程只读存储器，其特征在于，包括：一读出晶体管，包括浮栅、沟道、源和漏；一双极晶体管，适合于通过所述沟道以衬底热电子注入方式将电子注入到所述浮栅的方法为所述浮栅进行编程提供电子，所述双极晶体管配置成其集电极也是所述读出晶体管沟道下的被偏置的耗尽区；以及一选择晶体管，邻接于所述读出晶体管而形成，所述选择晶体管的所述源为所述双极晶体管的发射极。