INTEGRATED MEMORY WITH MEMORY CELLS AND REFERENCE CELLS AND OPERATING METHOD FOR A MEMORY OF THIS TYPE

摘要

Der Speicher weist identisch aufgebaute Speicherzellen (MC) und Referenzzellen (RC) auf. Eine Referenzinformation wird in die Referenzzellen (RC) eingeschrieben, indem die Referenzzellen (RC) über erste Schaltelemente (S1) von den Leseverstärkern (SAi) abgekoppelt und der mit den Referenzzellen (RC) verbundene Teil der Bitleitungen (BLi, bBLi) über zweite Schaltelemente (S2) mit einer die Referenzinformation führenden Potentialleitung (P1) elektrisch verbunden wird.