| 发明名称 |
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bestaande uit CMOS-transistoren, bipolaire verticale transistoren en dioden. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
NL193918(B) |
申请公布日期 |
2000.10.02 |
| 申请号 |
NL19870000242 |
申请日期 |
1987.01.30 |
| 申请人 |
SGS MICROELETTRONICA S.P.A. |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/8249;H01L27/06;(IPC1-7):H01L21/82;H01L27/02 |
主分类号 |
H01L21/8249 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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