半导体晶圆之研磨布的评价方法及使用该研磨布之制造方法

摘要

提供能维持藉由研磨布研磨而得之半导体晶圆的低 LPD测定值之半导体晶圆之研磨布的评价方法及使用该研磨布之制造方法。将研磨好之半导体晶圆洗净。将洗净好之半导体晶圆乾燥。针对设定粒子径以上者来测定乾燥之半导体晶圆的 LPD。测定的粒子径为0.12μm。LPD值超过规定值时则更换研磨布。

主权项

1.一种半导体晶圆的制造方法,其特征在于:将研磨后之半导体晶圆洗净并乾燥,针对设定粒子径以上者测定研磨表面之LPD (LightPoint Defect),此测定値在规定値以上时,在下次研磨前更换研磨布。2.如申请专利范围第1项所记载的半导体晶圆之制造方法,其中,LPD测定的设定粒子径在0.12m-0.16m之间。3.一种半导体晶圆之研磨布评价方法,其系于评价半导体晶圆之研磨布时,将藉由该研磨布研磨后之半导体晶圆,针对设定粒子径以上者做其研磨表面之LPD (Light Point Defect)之测定,将此测定値做为指标来评价研磨布。4.如申请专利范围第3项所记载的半导体晶圆研磨布之评价方法,其中,LPD测定之设定粒子径在0.12m-0.16m之间。图式简单说明:第一图为表示本实施例之半导体晶圆制造方法流程图。第二图为比较本发明制造方法和以往技术之制造方法而得的半导体晶圆LPD値分布图。