| 主权项 |
1.一种多重内连线之形成方法,其包括:提供一基底,该基底上形成有一第一导线与一第二导线,并于该第一与该第二导线之间裸露部分该基底;于该基底与该第一与该第二导线上形成一第一介电层,其中在该第一介电层、该第一与该第二导线所界定的区域形成一空气间隙;于该空气间隙上方之该第一介电层上,形成一抗蚀刻层;于该抗蚀刻层与该第一介电层上,形成一第二介电层;形成裸露该第一导线之一介层窗开口;于该介层窗开口之一侧壁以及该介层窗开口所裸露之该第一导线之一表面上,形成一阻障层;以及于该介层窗开口中,形成一介层窗插塞,该介层窗插塞填满该介层窗口。2.如申请专利范围第1项所述之多重内连线之形成方法,其中该第一介电层包括由电浆加强型化学气相沉积法所形成之氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之多重内连线之形成方法,其中位于该第一以及该第二导线上之部分第一介电层之厚度约为介于2000埃到4000埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之多重内连线之形成方法,其中该抗蚀刻层之材质包括氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之多重内连线之形成方法,其中该抗蚀刻层包括以电浆加强型化学气相沉积法所形成之氧化钛层。6.如申请专利范围第1项所述之多重内连线之形成方法,其中该抗蚀刻层包括以电浆加强型化学气相沉积法所形成之氧化钽。7.如申请专利范围第1项所述之多重内连线之形成方法,其中该抗蚀刻层对于该第一介电层有较大之蚀刻选择比。8.如申请专利范围第1项所述之多重内连线之形成方法,其中该抗蚀刻层对于该第二介电层有较大之蚀刻选择比。9.一种多重内连线之形成方法,其包括:提供一基底,该基底上形成有一第一导线与一第二导线,并于该第一与该第二导线之间裸露部分该基底;于该基底与该第一与该第二导线上以一电浆加强型化学气相沉积法形成一氧化矽层,其中在该氧化矽层、该第一与该第二导线所界定的区域形成一空气间隙;于该空气间隙上方之该氧化矽层上,形成一氮化矽层;于该氮化矽层与该氧化矽层上,形成一第一介电层;于该第一介电层上,形成一第二介电层;于该氧化矽层、该第一与该第二介电层中形成裸露该第一导线之一介层窗开口;于该介层窗开口之一侧壁以及该介层窗开口所裸露之该第一导线之一表面上,形成一阻障层;以及于该介层窗开口中,形成一介层窗插塞,该介层窗插塞填满该介层窗口。10.如申请专利范围第9项所述之多重内连线之形成方法,其中位于该第一以及该第二导线上之部分该氧化矽层之厚度约为介于2000埃到4000埃之间。11.如申请专利范围第9项所述之多重内连线之形成方法,其中该氮化矽层对于该介电层有较大之蚀刻选择比。12.如申请专利范围第9项所述之多重内连线之形成方法,其中形成该第一介电层之方法包括高密度电浆化学气相沉积法。13.如申请专利范围第9项所述之多重内连线之形成方法,其中形成该第二介电层之方法包括电浆加强型化学气相沉积法。14.如申请专利范围第9项所述之多重内连线之形成方法,其中形成该氮化矽层之方法包括电浆加强型化学气相沉积法。图式简单说明:第一图系显示习知形成介层窗口对准失误,以至于介层窗口穿透电层,并连通空气间隙之剖面简图;第二图A至第二图E系显示根据本发明较佳实施例之一种形成多重内连线之方法;以及第三图系显示当形成介层窗口发生对准失误时之剖面简图。 |
