| 主权项 |
1.一种半导体元件之焊垫结构,其中至少包括:一基底,具有一第一表面与一第二表面;一金属焊垫,配置于该第一表面;一焊接区,配置于该第二表面;于该金属焊垫及该焊接区,分别配置一第一镀层;以及于每一该些第一镀层之表面配置一第二镀层。2.如申请专利范围第1项所述半导体元件之焊垫结构,其中该金属焊垫之材质包括铝。3.如申请专利范围第1项所述半导体元件之焊垫结构,其中该焊接区之材质包括矽。4.如申请专利范围第1项所述半导体元件之焊垫结构,其中该些第一镀层之材质包括镍。5.如申请专利范围第1项所述半导体元件之焊垫结构,其中该些第二镀层之材质包括金。6.如申请专利范围第1项所述半导体元件之焊垫结构,其中在每一该些第一镀层与该金属焊垫及该焊接区之间,还包括分别具有一中介镀层。7.如申请专利范围第6项所述半导体元件之焊垫结构,其中该些中介镀层之材质包括锌。8.如申请专利范围第6项所述半导体元件之焊垫结构,其中每一该些中介镀层系分别由一第一中介镀层与一第二中介镀层叠合构成。9.如申请专利范围第8项所述半导体元件之焊垫结构,其中该些第一中介镀层之材质包括锌。10.如申请专利范围第8项所述半导体元件之焊垫结构,其中该些第二中介镀层之材质包括锌。11.一种半导体元件之焊垫结构,可应用于具有半导体元件之一基底,该基底具有一第一表面与一第二表面,且该第一表面具有一金属焊垫,该第二表面具有一焊接区,且该金属焊垫之材质为铝,该焊接区之材质为矽,其中半导体元件之焊垫结构至少包括:于该金属焊垫及该焊接区之表面,分别配置一中介镀层,且该些中介镀层之材质为锌;于每一该些中介镀层之表面,分别配置一第一镀层,且该些第一镀层之材质为镍;以及于每一该些第一镀层之表面,分别配置一第二镀层,且该些第二镀层之材质为金。12.一种半导体元件之焊垫的制作方法,其中至少包括下列步骤:提供一基底,该基底具有一第一表面与一第二表面,该第一表面具有一金属焊垫,该第二表面具有一焊接区;清洗该基底;同时于该金属焊垫与该焊接区上,各形成一中介镀层;于每一该些中介镀层上,形成一第一镀层;以及于每一该些第一镀层上,形成一第二镀层。13.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中清洗该基底之方法包括使用丙酮。14.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中清洗该基底之方法包括使用去离子水。15.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中清洗该基底之方法包括使用氢氟酸及硝酸混合溶液。16.如申请专利范围第15项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中氢氟酸及硝酸混溶液的氢氟酸浓度约为5毫升/升。17.如申请专利范围第15项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中氢氟酸及硝酸混溶液的硝酸浓度约为200毫升/升。18.如申请专利范围第15项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中使用氢氟酸及硝酸混合溶液清洗后,还包括使用去离子水清洗该基底。19.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中形成该些中介镀层之材质包括锌。20.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中形成该些中介镀层之方法包括:将该基底浸于锌酸盐溶液中,同时于该金属焊垫与该焊接区上,各形成一第一中介镀层;使用去离子水清洗该基底;以硝酸溶液蚀刻该基底,使该基底之表面粗糙化;使用去离子水清洗该基底;以及将该基底浸于锌酸盐溶液中,于每一该些第一中介镀层上形成一第二中介镀层,且由每一该些第一中介镀层与每一该些第二中介镀层分别叠合形成该些中介镀层。21.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中形成该第一镀层之材质包括镍。22.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中形成该第一镀层之方法包括将该基底浸于酸硷値约为8.8至9.0且温度约为摄氏90度之含镍溶液。23.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中形成该第一镀层之后,还包括使用去离子水清洗该基底。24.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中形成该第二镀层之材质包括金。25.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中形成该第二镀层之方法包括将该基底浸于酸硷値约为7.0且温度约为摄氏90度之合金溶液。26.如申请专利范围第12项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中形成该第二镀层之后,还包括使用去离子水清洗该基底。27.如申请专利范围第26项所述半导体元件之焊垫的制作方法,其中形成该第二镀层之后,还包括使用去丙酮清洗该基底。28.一种半导体元件之焊垫的制作力法,可应用于具有半导体元件之一基底,该基底具有一第一表面与一第二表面,且该第一表面具有一金属焊垫,该第二表面具有一焊接区,且该金属焊垫之材质为铝,该焊接区之材质为矽,其中半导体元件之焊垫的制作方法至少包括下列步骤:清洗该基底;同时于该金属焊垫与该焊接区上,各形成一第一中介镀层,且该些第一中介镀层之材质为锌;于每一该些第一中介镀层上形成一第二中介镀层,且该些第二中介镀层之材质为锌,并由每一该些第二中介镀层与每一该些第一镀层分别叠合形成一中介镀层;于每一该些中介镀层上形成一第一镀层,且该些第一镀层之材质为镍;以及于每一该些第一镀层上形成一第二镀层,且该些第二镀层之材质为金。图式简单说明:第一图绘示习知高压电晶体元件之示意图第二图绘示习知高压电晶体元件之焊垫结构示意图;以及第三图A至第三图D所绘示依照本发明之较佳实施例,一种半导体元件之焊垫结构,其制作流程之剖面示意图。 |
