| 主权项 |
1. 一种半导体装置清洗设备,用以在对于半导体晶圆之表面施以化学机械抛光后清洗该半导体晶圆之表面,包含:滚动刷,放置于半导体晶圆之表面上以便接触晶圆;第一化学液体槽,容纳有第一化学液体;第一排出喷嘴,喷洒第一化学液体至半导体晶圆之表面上;第二化学液体槽,容纳有第二化学液体;第二排出喷嘴,喷洒第二化学液体至半导体晶圆之表面上;第一化学液体与第二化学液体系在滚动刷与半导体晶圆皆转动之状况下喷洒至半导体晶圆之表面上。2. 如申请专利范围第1项之半导体装置清洗设备,其中:在化学机械抛光制程之后抛光微粒系残留于半导体晶圆之表面上,并且滚动刷将抛光微粒从半导体晶圆之表面上移除。3. 如申请专利范围第1项之半导体装置清洗设备,其中:该第一排出喷嘴具有第一排出口,而第二排出喷嘴具有第二排出口;该第一排出口与该第二排出口之任一个皆面对着半导体晶圆之表面,并且第一化学液体系经由第一排出口而喷洒至表面上,而第二化学液体系经由第二排出口而喷洒至表面上。4. 如申请专利范围第1项之半导体装置清洗设备,其中:第一化学液体包含氨水液体,而第二化学液体包含醇类液体。5. 如申请专利范围第4项之半导体装置清洗设备,其中:醇类液体包含较低的醇类。6. 如申请专利范围第5项之半导体装置清洗设备,其中:较低的醇类系至少包含选自乙醇、甲醇、与异丙醇所组成之族群中之一个元素。7. 如申请专利范围第4项之半导体装置清洗设备,其中:氨水液体之浓度系落于0.001%与10%间之范围内。8.如申请专利范围第4项之半导体装置清洗设备,其中:醇类液体之浓度系落于0.005%与10%间之范围内。9.如申请专利范围第1项之半导体装置清洗设备,更包含:第三排出喷嘴,其喷洒纯水至半导体晶圆之表面上。10. 如申请专利范围第9项之半导体装置清洗设备,其中:第一液体、第二液体与纯水系滴至滚动刷上。11.如申请专利范围第4项之半导体装置清洗设备,其中:半导体晶圆之表面系疏水性,并且藉着使用醇类液体使疏水性表面改变成亲水性表面。12. 如申请专利范围第11项之半导体装置清洗设备,其中:使疏水性表面改变成亲水性表面系为了增强半导体晶圆表面上所残留之抛光微粒之移除性能。13. 如申请专利范围第11项之半导体装置清洗设备,其中:疏水性表面系包含氮化矽膜或多晶矽膜曝露之表面。14. 一种半导体装置清洗设备,其在化学机械抛光制程实行于半导体晶圆之表面上后清洗半导体晶圆之表面,包含:滚动刷,放置于半导体晶圆之表面上以便接触晶圆,滚动刷具有复数个细微孔洞;第一化学液体槽,容纳有第一化学液体;第二化学液体槽,容纳有第二化学液体;以及导管,用以将第一化学液体与第二化学液体混合并且使混合液体供应至滚动刷之内部;混合液体系在滚动刷与半导体晶圆皆转动之状况下经由滚动刷之细微孔洞而喷洒至半导体晶圆之表面上。15. 如申请专利范围第14项之半导体装置清洗设备,其中:在化学机械抛光制程之后抛光微粒系残留于半导体晶圆之表面上,并且滚动刷将抛光微粒从半导体晶圆之表面上移除。16. 如申请专利范围第14项之半导体装置清洗设备,其中:第一化学液体包含氨水液体,而第二化学液体包含醇类液体。17. 如申请专利范围第16项之半导体装置清洗设备,其中:醇类液体包含较低的醇类。18. 如申请专利范围第17项之半导体装置清洗设备,其中:较低的醇类系至少包含选自乙醇、甲醇、与异丙醇所组成之族群中之一个元素。19. 如申请专利范围第16项之半导体装置清洗设备,其中:氨水液体之浓度系落于0.001%与10%间之范围内。20.如申请专利范围第16项之半导体装置清洗设备,其中:醇类液体之浓度系落于0.005%与10%间之范围内。21.如申请专利范围第14项之半导体装置清洗设备,更包含:第三排出喷嘴,其喷洒纯水至半导体晶圆之表面上。22. 如申请专利范围第14项之半导体装置清洗设备,其中:半导体晶圆之表面系疏水性,并且藉着使用醇类液体使疏水性表面改变成亲水性表面。23. 如申请专利范围第22项之半导体装置清洗设备,其中:使疏水性表面改变成亲水性表面系为了增强半导体晶圆表面上所残留之抛光微粒之移除性能。24. 如申请专利范围第22项之半导体装置清洗设备,其中:疏水性表面系包含氮化矽膜或多晶矽膜曝露之表面。25. 一种半导体装置之清洗方法,该半导体装置包含具有表面之半导体晶圆,其包含下列步骤:对半导体晶圆之表面施以化学机械抛光,该表面系疏水性,藉由醇类液体使疏水性表面改变成亲水性表面;供应氨水液体于亲水性表面上;以及藉由纯水施行洗涤程序。26. 如申请专利范围第25项之清洗方法,其中:使疏水性表面改变成亲水性表面系为了增强在化学机械抛光制程后半导体晶圆表面上所残留之抛光微粒之移除性能。27. 如申请专利范围第25项之清洗方法,其中:疏水性表面系包含氮化矽膜或多晶矽膜曝露之表面。28. 如申请专利范围第25项之清洗方法,更包含下列步骤:在化学机械抛光制程后,从半导体晶圆之表面上移除抛光微粒。29. 如申请专利范围第25项之清洗方法,其中:醇类液体包含较低的醇类。30. 如申请专利范围第29项之清洗方法,其中:较低的醇类系至少包含选自乙醇、甲醇、与异丙醇所组成之族群中之一个元素。31. 如申请专利范围第25项之清洗方法,其中:氨水液体之浓度系落于0.001%与10%间之范围内。32.如申请专利范围第25项之清洗方法,其中:醇类液体之浓度系落于0.005%与10%间之范围内。 |
