发明名称 积体电路电介质及方法
摘要 一种用于多孔矽氧之方表面处理方法,该方法能加强覆盖层之附着性。该处理方法包含有:表面组替代物(surface group substitution),细孔缩减(pore collapse),及间隙充填层(gap filling layer 520)。该间隙充填层能侵入乾凝胶(510)之表面细通孔(514)。
申请公布号 TW411559 申请公布日期 2000.11.11
申请号 TW087108492 申请日期 1998.09.17
申请人 德州仪器公司 发明人 李伟;李理查;金昌明;泰凯利;卢炯平;罗提芬;海劳勃
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 蔡中曾 台北巿敦化南路一段二四五号八楼
主权项 1.一种电介质结构,其包含:(a)第1层多孔电介质;和(b)在该多孔电介质上之第2电介质层;(c)其中该第2电介质层至少充填在该多孔电介质层表面之细开孔体积的50%。2.一种电介质结构,其包含:(a)多孔电介质层;(b)其中该电介质层之细孔表面是:(i)远离该层之表面的疏水细孔,和(ii)在该层表面之非疏水细孔。3.一种电介质结构,其包含:(a)一层多孔电介质,该电介质具有平均细孔直径D,和全部细孔体积与全部层体积之比P;(b)其中在层之表面的2D距离之层部分具有全部细孔体积与全部层部分体积之比小于P/2。4.一种制造多孔电介质之方法,其包含下列之步骤:(a)在一表面形成乾凝胶;和(b)在还原大气压下乾燥该乾凝胶。5.一种互连结构,其包含:(a)多孔电介质层;和(b)嵌入在该层之传导线;(c)其中该传导线之一部分是互连,且该传导线之一部分是假互连(dummy interconntct)。6.一种制造电介质之方法,其包含下列之步骤:(a)在一晶圆上旋转涂布3成分组成,该3成分组成包含有第1和2溶剂和电介质先质;(b)蒸发该第1溶剂;(c)进一步旋转该晶圆;(d)使该先质聚合且蒸发该第2溶剂以形成一介电质层;并且(e)加强该介电质层之表面黏着性。图式简单说明:第一图a--第一图g是一较佳实施例之积体电路制造方法步骤的截面图。第二图a--第二图b是另一较佳实施例之截面图。第三图a--第三图f亦是另一较佳实施例之截面图。第四图a--第四图c亦是另一较佳实施之截面图。第五图是细开孔充填附着。第六图是硬外壳。第七图a--第七图b是另一较佳实施例之步骤的截面图。第八图a--第八图e是一较佳实施例布局结构之截面图和平面图。
地址 美国