| 主权项 |
1.一种双轴取向聚酯膜,其具有至少纵向杨格模数(YmMD)或横向杨格模数(YmTD)为7.0GPa以上,并具有沿聚酯主链方向之来自晶面之绕射线之周线半宽为在55至85之范围内,该周线半宽系利用在聚酯膜绕着其法线旋转时施行之广角X射线绕射测定法藉由晶体取向分析确定者。2.如申请专利范围第1项之双轴取向聚酯膜,其中聚酯主链方向之晶体大小为45至90者。3.如申请专利范围第1项之双轴取向聚酯膜,其中纵向杨格模数(YmMD)与横向杨格模数(YmTD)之合计为13GPa至25GPa,且对角方向(45或135)之杨格模数为6GPa至10GPa者。4.如申请专利范围第1项之双轴取向聚酯膜,其中在温度50℃及负荷28MPa之条件下保持30分钟后之蠕变柔量为0.11GPa-1至0.35GPa-1者。5.如申请专利范围第1项之双轴取向聚酯膜,其中聚酯膜之横向增长撕裂强度换算为5m厚度时为0.7g至1.8g者。6.如申请专利范围第1项之双轴取向聚酯膜,其中聚酯为聚对8.如申请专利范围第6项之双轴取向聚酯膜,其中沿法线方向之折射率(nZD)为1.470至1.485,且沿面取向指数(fn)为0.175至0.195者。9.如申请专利范围第6项之双轴取向聚酯膜,其中该膜之密度为1.385至1.400者。10.如申请专利范围第6项之双轴取向聚酯膜,其中该膜之热收缩开始之温度为70℃以上,且80℃温度下之热收缩率为0.5%或更低者。11.一种高密度磁性记录媒体,包括如申请专利范围第1项所规定之双轴取向聚酯膜者。12.一种静电电容器,包括如申请专利范围第1项所规定之双轴取向聚酯膜者。13.一种热转印带,包括如申请专利范围第1项所规定之双轴取向聚酯膜者。14.一种制造双轴取向聚酯膜之方法,其中沿纵向及横向双轴拉伸一实质非晶形聚酯膜,以便该膜之双折射(n)及结晶度各别成为0.-0.02及6%或更低,然后使该膜在低于先前之横向拉伸处理温度之温度下接受第二横向拉伸处理,继之接受第二纵向拉伸处理者。15.如申请专利范围第14项之方法,其中实质非晶形聚酯膜之边缘部之最大厚度(A)与宽度中心之厚度(B)之比率(A/B)为在2.0-6.0之范围内者。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该实质非晶形聚酯膜按(聚酯之玻璃转移温度Tg+25)℃至(Tg+45)℃范围内之一温度及1.5-2.5倍数之拉伸比沿纵向被拉伸,然后按(Tg+25)℃至(Tg+45)℃范围内之一温度及1.5-2.5倍数之拉伸比沿横向被拉伸者。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该第二横向拉伸处理为按(玻璃转移温度Tg-15)℃至(Tg+25)℃范围内之一温度及3-5倍数之拉伸比施行者。18.如申请专利范围第14项之方法,其中该第二纵向拉伸处理为按(Tg-25)℃至(Tg+85)℃范围内之一温度及2-6倍数之拉伸比施行者。19.如申请专利范围第14项之方法,其中该第二纵向拉伸处理为以复数步骤施行至达到3至6倍之拉伸比,并且在(Tg-15)℃至(Tg+15)℃范围内之一温度下施行第一步骤,而在(Tg+10)℃至(Tg+85)℃范围内之一温度下施行第二及其后之步骤者。20.如申请专利范围第14至19项中任一项之方法,其中在第二纵向拉伸处理后,使双轴拉伸聚酯膜接受第三横向拉伸处理者。21.如申请专利范围第14至19项中任一项之方法,其中在第二纵向拉伸处理后,使双轴拉伸聚酯膜接受一个或复数步骤之按1.2至2.5倍拉伸比之第三横向拉伸处理,而此项处理系在(Tg+10)℃至(聚酯之熔点-45)℃范围内逐渐提高温度之下施行者。22.一种制造如申请专利范围第1项所规定之双轴取向聚酯膜之方法,其中沿纵向及横向双轴拉伸一实质非晶形聚酯膜,以便该膜之双折射(n)及结晶度各别成为0-0.02及6%或更低,然后在低于先前之横向拉伸处理温度之温度下进一步沿横向拉伸该膜,继之施行第二纵向拉伸处理者。23.一种制造双轴取向聚酯膜之方法,包括三个步骤:在其中之第一步骤中,将未拉伸之铸膜按(聚酯之玻璃转移温度Tg+25)℃至(Tg+45)℃范围内之一温度及2至7之倍数之面积拉伸比同时沿纵向及横向予以双轴拉伸;在第二步骤中,将膜按(Tg-15)℃至(Tg+10)℃范围内之一温度及4至16之倍数之面积拉伸比同时沿纵向及横向予以双轴拉伸;而在第三步骤中,将膜按(聚酯之熔点Tm-130)℃至(Tm-10)℃范围内之一温度及1.5至5之倍数之面积拉伸比同时沿纵向及横向进一步予以双轴拉伸者。24.如申请专利范围第23项之方法,其中由第一步骤同时双轴拉伸处理所制成之膜具有双折射(n)及结晶度各别为0-0.02及6%或更低者。25.如申请专利范围第23项之方法,其中第三拉伸处理为在二段以上之温度范围内施行者。26.如申请专利范围第23项之方法,其中夹住膜边缘之拉幅机夹子之温度为在(玻璃转移温度Tg+15)℃至(Tg+50)℃之范围内者。27.一种制造如申请专利范围第1项所规定之双轴取向聚酯膜之方法,包括三个步骤:在其中之第一步骤中,将未拉伸之铸膜按(聚酯之玻璃转移温度Tg+25)℃至(Tg+45)℃范围内之一温度及2至7之倍数之面积拉伸比同时沿纵向及横向予以双轴拉伸;在第二步骤中,将膜按(Tg-15)℃至(Tg+10)℃范围内之一温度及4至16之倍数之面积拉伸比同时沿纵向及横向予以双轴拉伸;而第三步骤中,将膜按(聚酯之熔点Tm-130)℃至(Tm-10)℃范围内之一温度及1.5至5之倍数之面积拉伸比同时沿纵向及横向进一步予以双轴拉伸者。28.一种制造如申请专利范围第1项所规定之双轴取向聚酯膜之方法,其中沿纵向及横向双轴拉伸一实质非晶形聚酯膜,以便该膜之双折射(n)及结晶度各别成为0-0.02及6%或更低,而在低于先前之横向拉伸处理温度之温度下进一步沿横向拉伸该膜,又沿纵向反覆拉伸该膜,然后按(聚酯之熔点Tm-130)℃至(Tm-10)℃范围内之一温度及1.5至5之倍数之面积拉伸比沿纵向及横向施行多段同时双轴拉伸处理者。 |
