| 主权项 |
1.于热固性树脂铜包层合体形成通孔用之贯穿孔之方法,该铜包层合体至少有二铜层,其中该热固性树脂铜包层合体之铜箔系利用二氧化碳气体雷射脉波振荡以足够去除铜箔之20至60毫焦/脉波能处理,该方法包含形成或设置一有机物质涂层或薄片其中含有3至97%容积比至少一种粉末选自包括金属化合物粉末、碳粉及金属粉,其具有熔点至少900℃,及于待使用二氧化碳气体雷射照射之至少铜箔一面上具有链结能至少300千焦/莫耳,及以所需脉波束之二氧化碳气体雷射照射其一面而形成贯穿孔。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该有机物质为水溶性树脂组合物。3.如申请专利范围第1项之方法,其中于形成贯穿孔后,铜箔两面经蚀刻而去除其部分厚度且形成光滑面,及同时去除于贯穿孔部松散的铜箔毛边。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该蚀刻系进行而去除铜箔之1/3至1/2之厚度。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属化合物粉末、碳粉反金属粉具有平均粒子直径为1微米或以下。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该等有机物质涂层或薄片含有3至97%容积比至少一种粉末选自包括金属化合物粉末、碳粉及金属粉,其具有熔点至少900℃及键结能至少300千焦/莫耳,该等涂层或薄片形成或设置于2至10片铜包层合体之铜箔表面上,一涂层或一薄片位于铜包层合体之铜箔表面上,堆叠2至10层铜包层合体,堆叠后之铜包层合体上表面以二氧化碳气体雷射照射而同时形成贯穿孔。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该具有树脂层及金属板之背衬片至少部分黏合至铜包层合体之待照射二氧化碳气体雷射铜箔表面反面的最外铜箔表面上。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该树脂层系由水溶性树脂组合物制成,该树脂层系置于铜箔表面上,及背衬片系于加热及加压下层合于铜箔表面上。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该背衬片之树脂层厚度为20至200微米。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该金属片为厚30至200微米之光泽金属片。11.一种铜包层合体,其可用于热固性树脂铜包层合体形成通孔用之贯穿孔之方法,该铜包层合体至少有二铜层,其中该热固性树脂铜包层合体之铜箔系利用二氧化碳气体雷射脉波振荡以足够去除铜箔之20至60亳焦/脉波能处理,该铜包层合体为一种铜包层合体含有玻璃纤维物基材浸渍以树脂组合物之预浸物,该树脂组合物含有热固树脂具有玻璃化温度至少150℃及10至60%重量比绝缘无机填充剂,该铜包层合体具有截面其中来自树脂组合物之热固性树脂及无机填充剂系均匀混合于其中。12.如申请专利范围第11项之铜包层合体,其中该热固性树脂组合物含有0.1至10%重量比黑色或褐色染料或颜料。13.一种辅助材料,其系用于当于铜包层合体使用二氧化碳气体雷射制作贯穿孔时用于铜包层合体之铜箔表面上,该贯穿孔系经由利用二氧化碳气体雷射脉波振荡使用20至60毫焦/脉波能充分照射铜箔表面制作,及该辅助材料为有机物质涂层或薄片,其含有3至97%容积比至少一种粉末选自包括金属化合物粉末、碳粉及金属粉其具有熔点至少900℃及键结能至少300千焦/莫耳。14.如申请专利范围第13项之辅助材料,其中该有机物质为水溶性树脂组合物。15.如申请专利范围第13项之辅助材料,其中该薄片为经由黏合水溶性树脂组合物至热塑性膜一面上生成的产物。16.如申请专利范围第15项之辅助材料,其中该薄片为一种产物其中水溶性树脂组合物层与热塑性薄膜总厚度为30至200微米。17.如申请专利范围第15项之辅助材料,其中该薄片系经由将水溶性树脂组合物层设置于铜箔表面该侧上及于加热及加压下层合该水溶性树脂组合物层至铜箔使用。18.如申请专利范围第15项之辅助材料,其中该薄片系经由事先使用水湿润水溶性树脂层表面达3微米或以下深度,将该水溶性树脂组合物层置于铜箔表面该侧上及于加压及室温下层合使用。19.一种使用二氧化碳气体雷射制作孔用之背衬片,其系用于当使用二氧化碳气体雷射于铜包层合体制作孔时用于铜包层合体最外铜箔面之反面上,该制作孔系利用二氧化碳气体雷射脉波振荡使用20至60毫焦/脉波能照射铜箔正面进行,及该背衬片包含20至200微米厚树脂层及金属板。20.如申请专利范围第19项之背衬片,其中该树脂层为水溶性树脂组合物。图式简单说明:第一图显示实例1及2中使用二氧化碳气体雷射制作通孔用之贯穿孔之步骤,其中(1)显示形成含金属化合物之树脂涂层之步骤,(2)显示制作孔及去除涂层之步骤,(3)显示蚀刻铜包层合体各铜箔全表面而去除其部分厚度(SUEP:表面一致蚀刻方法)之步骤,因而去除孔周围之铜箔毛边及溶解铜箔,及(4)显示镀铜步骤。第二图显示于实例8使用二氧化碳气体雷射制作通孔用之贯穿孔之步骤,其中设置一背衬片。第三图显示于比较例5制作通孔用之贯穿孔之步骤,其中(1)显示藉蚀刻去除铜箔之步骤,(2)显示制作孔之步骤,及(3)显示镀铜步骤。 |
