| 主权项 |
1.一种冠状电容结构的制造方法,其制造方法包括下列步骤:(a) 提供一具有源/汲极区之半导体基底;(b) 在上述半导体基底上方形成一位元线及一隔离该位元线之第一绝缘层;(c) 在上述第一绝缘层表面顺应性形成一第一遮蔽层;(d) 在上述第一遮蔽层表面顺应性形成一第二绝缘层;(e) 定义上述第二绝缘层,于上述源/汲极区之上方形成一贯穿上述第二绝缘层、上述第一遮蔽层及上述第一绝缘层之源/汲极接触窗,以连通至上述源/汲极区;(f) 形成一第二遮蔽层于上述第二绝缘层表面,并顺应性地延伸至上述源/汲极接触窗之侧壁及底部;(g) 以上述第二绝缘层为遮蔽罩幕,去除上述第二绝缘层表面与该接触窗底部之该第二遮蔽层,并使该源/汲极接触窗侧壁之该第二遮蔽层形成一遮蔽侧壁物,并露出上述源/汲极区表面;(h) 去除上述第二绝缘层;(i) 形成一第一导电层覆盖上述第一遮蔽层,并顺应性延伸至上述源/汲极接触窗之底部与上述遮蔽侧壁物之表面及侧壁;(j) 形成一第三绝缘层覆盖于上述第一导电层表面,并填满上述源/汲极接触窗内之该遮蔽侧壁物所围绕之空间;(k) 定义上述第三绝缘层,然后去除部份之该第三绝缘层,留下位于上述源/汲极接触窗上方要形成电容结构位置的部份;(l) 去除外露于上述第三绝缘层之上述第一导电层;(m) 形成一第二导电层顺应性地覆盖上述第一遮蔽层表面及上述第三绝缘层之侧壁及表面;(n) 去除上述第一遮蔽层表面及上述第三绝缘层上方表面所覆盖之该第二导电层,并使覆盖于上述第三绝缘层侧壁之该第二导电层形成一导电侧壁物;(o) 去除该导电侧壁物所围绕及该源/汲极接触窗内部之该第三绝缘层,以形成电容结构之下电极板;(p) 形成一介电层于该电容结构之下电极板上;以及(q) 形成一上电极板于该介电层上,以完成该冠状电容结构的制造。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成之该半导体基底系矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成之该第一导电层与该第二导电层,系由复晶矽或金属钨或矽化钨或其他金属矽化物材质组成。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成之该第一遮蔽层与第二遮蔽层系由氮化矽组成。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成之该第一遮蔽层厚度为100~3000埃。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成之该第二遮蔽层厚度为50~1000埃。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成之该第二绝缘层厚度为1000~30000埃。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成之该第三绝缘层厚度为1000~30000埃。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成之该第一导电层厚度为100~3000埃。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成之该第二导电层厚度为100~3000埃。11.一种冠状电容结构的制造方法,其制造方法包括下列步骤:(a) 提供一具有源/汲极区之半导体基底;(b) 在上述半导体基底上方形成一位元线及一隔离该位元线之第一绝缘层;(c) 在上述第一绝缘层表面顺应性沈积一第一遮蔽层;(d) 在上述第一遮蔽层表面顺应性沈积一第二绝缘层;(e) 以微影制程定义上述第二绝缘层,于上述源/汲极区之上方以蚀刻制程形成一贯穿上述第二绝缘层、上述第一遮蔽层及上述第一绝缘层之源/汲极接触窗,以连通至上述源/汲极区;(f) 沈积一第二遮蔽层于上述第二绝缘层表面,并顺应性地延伸至上述源/汲极述接触窗之侧壁及底部;(g) 以上述第二绝缘层为遮蔽罩幕,以蚀刻制程去除上述第二绝缘层表面与该源/汲极接触窗底部之该第二遮蔽层,并使该源/汲极接触窗侧壁之该第二遮蔽层形成一遮蔽侧壁物,并露出上述源/汲极区表面;(h) 以蚀刻制程去除上述第二绝缘层;(i) 沈积一第一导电层覆盖上述第一遮蔽层,并顺应性延伸至上述源/汲极接触窗之底部与上述遮蔽侧壁物之表面及侧壁;(j) 沈积一第三绝缘层覆盖于上述第一导电层表面,并填满上述源/汲极接触窗内之该遮蔽侧壁物所围绕之空间;(k) 以微影制程定义上述第三绝缘层,再以蚀刻制程去除部份该第三绝缘层,留下位于上述源/汲极接触窗上方要形成电容结构位置的部份;(l) 以蚀刻制程去除外露于上述第三绝缘层之上述第一导电层;(m) 沈积一第二导电层顺应性地覆盖上述第一遮蔽层表面及上述第三绝缘层之侧壁及表面;(n) 以蚀刻制程去除上述第一遮蔽层表面及上述第三绝缘层上方表面所覆盖之该第二导电层,并使覆盖于上述第三绝缘层侧壁之该第二导电层形成一导电侧壁物;(o) 以蚀刻制程去除该导电侧壁物所围绕及该源/汲极接触窗内部之该第三绝缘层,以形成电容结构之下电极板;(p) 沈积一介电层于上述电容结构之下电极板上;以及(q) 沈积一上电极板于该介电层上,以完成该冠状电容结构的制造。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中形成之该半导体基底系矽基底。13.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中形成之该第一导电层与该第二导电层,系由复晶矽或金属钨或矽化钨或其他金属矽化物材质组成。14.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中形成之该第一遮蔽层与第二遮蔽层系由氮化矽组成。15.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中形成之该第一遮蔽层厚度为100~3000埃。16.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中形成之该第二遮蔽层厚度为50~1000埃。17.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中形成之该第二绝缘层厚度为1000~30000埃。18.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中形成之该第三绝缘层厚度为1000~30000埃。19.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中形成之该第一导电层厚度为100~3000埃。20.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中形成之该第二导电层厚度为100~3000埃。 |
