| 主权项 |
1.一种制造电容器之方法包含:a)提供一半导体基板;b)形成复数个介电层在该半导体基板上;c)使用一具蚀刻性的气体去除该复数个介电层的一部份使露出该复数个介电层之部份形成一特定构造;以及d)形成一电容层于该特定构造上;2.如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该步骤c)之前尚包括一步骤c1)使用一光罩涂布一光阻剂层于该复数个介电层上。3.如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该步骤d)之前进一步包括一步骤d1)去除该光阻剂层。4.如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该步骤d)进一步包含:d11)形成一第一导电层于该构造之上;d12)形成一牺牲氧化层于该第一导电层之上;d13)去除该牺牲氧化层使形成一凹凸表面;d14)形成一介电层于该凹凸表面之上;以及d15)形成一第二导电层于该介电层之上。5.如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该第一导电层与第二导电层系为一参有杂质的复晶矽。6.如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该具蚀刻性气体系一气体选自CF|^4,SF|^6,和NF|^3。7.如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该步骤c)尚包括:使用一氧气O|^2。8.如申请专利范围第7项所述制造电容器之方法,其中该氧气O|^2的流速为0-10sccm。9.如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该步骤c)在一特定条件下操作,该条件包括:一操作压力;一该蚀刻气体之流速;一RF电源;以及一操作时间。10.如申请专利范围第9项所述制造电容器之方法,其中该操作压力在10-50mtorr。11.如申请专利范围第9项所述制造电容器之方法,其中该RF电源系为200-300W。12.如申请专利范围第9项所述制造电容器之方法,其中该特定操作时间160-200sec。13.如申请专利范围第9项所述制造电容器之方法,其中该气体流速CF|^4为40-50sccm。14.如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该复数个介电层系为至少二层介电层。15.如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该复数个介电层系为氧化物-氮化物-氧化物(Oxide-on-Nitride-on-Oxide)。16如申请专利范围第1项所述制造电容器之方法,其中该构造为一堆叠形状。 |
