| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌结构的制造方法,包括下列步骤:在一基底上形成具有一介层窗开口的一介电层;于该介电层上形成一非共形之帽盖层,以覆盖该介层窗开口之顶部;于该非共形帽盖层上形成一图案化的光阻层;以该图案化的光阻层为罩幕,去除部份该非共形帽盖层与部份该介电层,于该介电层中形成一沟渠;去除该图案化的光阻层;去除该非共形帽盖层;以及于该介层窗开口与该沟渠中填入一导体材料。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该介电层之材质包括系具有低介电常数者。3.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该介电层包括旋涂式高分子。4.如申请专利范围第3项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该旋涂式高分子系选自于Flare、SILK、Parylene与PAE-II所组成之有机材料其中之一。5.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该非共形之帽盖层的形成方法包括电浆增益型化学气相沈积法。6.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该非共形帽盖层之材质系可以在该图案化之光阻层的显影步骤中避免遭受破坏者。7.如申请专利范围第6项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该非共形帽盖层之材质包括电浆增益型化学气相沈积法沈积之氧化矽8.如申请专利范围第6项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该非共形帽盖层之材质包括电浆增益型化学气相沈积法沈积之氮化矽。9.如申请专利范围第6项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中该非共形帽盖层之材质包括电浆增益型化学气相沈积法沈积之氮氧化矽。10.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌结构的制造方法,其中去除该非共形帽盖层的方法包括乾式蚀刻法。11.一种在低介电常数之介电层中形成双重金属镶嵌结构的方法,包括下列步骤:在一基底上形成一第一低介电常数介电层;于该第一低介电常数介电层上形成一蚀刻终止层;于该蚀刻终止层上形成一第二低介电常数介电层;于该第二低介电常数介电层上形成一硬罩幕层;于该基底上形成一第一图案化光阻层;以该第一图案化光阻层为罩幕,去除部份该硬罩幕层、该第二低介电常数介电层、该蚀刻终止层与该第一低介电常数介电层,以形成一介层窗开口;去除该第一图案化光阻层;于该硬罩幕层上形成一非共形之帽盖层,以覆盖该介层窗开口之顶部;于该非共形帽盖层上形成一第二图案化的光阻层;以该第二图案化的光阻层为罩幕,去除部份该非共形帽盖层、部份该硬罩幕层与部份该第二低介电常数之介电层,以形成一沟渠;去除该第二图案化的光阻层;去除该非共形帽盖层;以及于该介层窗开口与该沟渠中填入一导体材料。12.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数之介电层中形成双重金属镶嵌结构的方法,其中该第一低介电常数之介电层与该第二低介电常数之介电层包括旋涂式高分子。13.如申请专利范围第12项所述之在低介电常数之介电层中形成双重金属镶嵌结构的方法,其中该旋涂式高分子系选自于Flare、SILK、Parylene与PAE-II所组成之有机材料其中之一。14.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数之介电层中形成双重金属镶嵌结构的方法,其中该非共形之帽盖层的形成方法包括电浆增益型化学气相沈积法。15.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数之介电层中形成双重金属镶嵌结构的方法,其中该非共形帽盖层与该硬罩幕层之材质系可以在该第一与该第二图案化之光阻层的显影步骤中避免遭受破坏者。16.如申请专利范围第15项所述之在低介电常数之介电层中形成双重金属镶嵌结构的方法,其中该非共形帽盖层之材质包括电浆增益型化学气相沈积法沈积之氧化矽、氮化矽与氮氧化矽其中之一。17.如申请专利范围第11项所述之在低介电常数之介电层中形成双重金属镶嵌结构的方法,其中去除该非共形帽盖层的方法包括乾式蚀刻法。18.一种开口的形成方法,适用于一基底,该基底上已形成一低介电常数之介电层,该介电层中已形成一第一开口,该方法包括:于该介电层上形成一非共形之帽盖层,以覆盖该第一开口之顶部;于该非共形帽盖层上形成一图案化的光阻层;以该图案化的光阻层为罩幕,去除部份该非共形帽盖层与部份该介电层,以于该介电层中形成一第二开口;以及去除该图案化的光阻层。19.如申请专利范围第18项所述之开口的形成方法,其中该非共形之帽盖层的形成方法包括电浆增益型化学气相沈积法。20.如申请专利范围第18项所述之开口的形成方法,其中该非共形帽盖层之材质系可以在该图案化之光阻层的显影步骤中避免遭受破坏者。图式简单说明:第一图A至第一图D为习知一种双重金属镶嵌结构之制造流程的剖面示意图;以及第二图A至第二图F为依照本发明实施例一种双重金属镶嵌结构之制造流程的剖面示意图。 |
