| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体记忆胞平坦化之方法,该方法包括下列步骤:(a)提供一矽基底,其上已形成有一半导体电性元件、一场氧化层、一氧化层及一电容器;(b)在该矽基底上,形成一第一介电层;(c)回蚀部份该第一介电层,余留的该第一介电层形成一间隙壁层;(d)在该间隙壁层上,形成一第二介电层;(e)在该第二介电层上,形成一绝缘层,该绝缘层的蚀刻率大于该第二介电层的蚀刻率;以及(f)全面性回蚀该绝缘层,并回蚀部份该第二介电层形成一第三介电层,该第三介电层具有一平坦表面。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层是由硼磷矽玻璃所组成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一介电层是由四氧乙基矽烷所组成。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该(d)步骤系以乾蚀刻法,回蚀该第一介电层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二介电层是由硼磷矽玻璃所组成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层是由旋涂式玻璃所组成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘层是由光阻层所组成。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该(f)步骤更包括:以乾蚀刻法,蚀刻该绝缘层;当部份该第二介电层露出时,同时蚀刻该绝缘层及该第二介电层;以及直到完全蚀刻该绝缘层后,形成该第三介电层。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三介电层是由硼磷矽玻璃所组成。图式简单说明:第一图A至第一图C是习知一种DRAM记忆胞的部份制程剖面示意图。第二图A至第二图F是依照本发明之一较佳实施例的一种DRAM记忆胞的平坦化流程剖面示意图。 |
